
상세 정보
개요
DMP3085LSD-13 은 Diodes Incorporated 의 SO-8 전력용 P채널 2소자 MOSFET 입니다. -30V -3.9A 급 P채널 두 개를 SO-8 에 담은 2소자 형이며 -10V 구동 70mΩ 최대 온저항을 내는 전원 관리용 MOSFET 입니다. SO-8 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 2,500개(테이프&릴 · 접미 -13) 입니다.
전기 특성
- 채널 형식
- P채널 증가형 2소자
- 독립 P채널 2소자 · -10V · -4.5V 두 구동 조건의 온저항이 규정돼 있고 입력 용량이 563pF 로 작다
- 드레인-소스 전압 (VDSS)
- -30V
- VGS 0V · ID -250µA 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 VDS -30V 에서 -1µA 이하다
- 연속 드레인 전류 (ID)
- -3.9A
- TA 25℃ · VGS -10V · 1인치 각 2온스 동박 정상 상태 값(TA 70℃ -3.1A)이며 10초 미만 통전에서는 -4.9A · TA 70℃ -3.9A 다 · 펄스는 -20A 이고 바디 다이오드 연속 전류는 -2.5A 다
- 온저항 RDS(on)
- 70mΩ 최대
- VGS -10V · ID -5.3A 조건 최대값이며 표준 50mΩ 이다 · VGS -4.5V · ID -4.2A 조건은 최대 95mΩ · 표준 75mΩ 이다
- 게이트 구동
- 총 게이트 전하 11nC
- VGS -10V · VDS -15V · ID -3.8A 조건 표준값이며 -4.5V 구동 기준 5.2nC · 게이트-소스 전하 1.7nC · 게이트-드레인 전하 1.9nC 다
- 게이트-소스 전압 (VGS)
- ±20V
- 게이트-소스 절대 최대 정격이며 누설은 ±20V 에서 ±100nA 이하다
- VGS(th)
- -1 ~ -3V
- VDS 와 VGS 를 묶고 ID -250µA 를 흘린 조건이다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다
최대 정격
- 드레인-소스 전압
- -30V
- 게이트 정격
- ±20V
- 전류·전력 정격
- 펄스 -20A · 소비 전력 1.7W
- 온도
- 접합·보관 -55 ~ +150℃
- 소비 전력 1.7W · 열저항 75℃/W 는 1인치 사각 2온스 동박 정상 상태 조건이고 TA 70℃ 에서는 1.1W · 10초 미만 통전 50℃/W 다 · 최소 권장 패드에서는 107℃/W · TA 70℃ 0.7W 이며 접합-케이스 열저항은 14.5℃/W 다
기계
- 패키지
- SO-8
- 표준 SO-8 외형이며 무게 0.074g · 마킹 P3085SD 다
- 실장
- 표면실장
- 포장은 릴 2,500개(테이프&릴 · 접미 -13)
참고
별도 최대값 표시가 없는 다음 용량·저항·스위칭 값은 대표값이다. 입력 용량 563pF · 출력 용량 48pF · 귀환 용량 41pF(VDS -25V · 1MHz) · 게이트 저항 10.3Ω 이며 스위칭은 VDS -15V · VGS -10V · ID -1A · RG 6.0Ω 조건에서 턴온 지연 4.8ns · 상승 5ns · 턴오프 지연 31ns · 하강 14.6ns 다. 두 소자는 드레인·게이트·소스가 모두 독립 단자로 나온다.
AI 엔지니어 팁
구매 전 꼭 확인하세요 · 실무 체크포인트
온저항 기준 조건을 확인하십시오
70mΩ 최대값은 VGS -10V · ID -5.3A 조건 최대값이며 표준 50mΩ 입니다 · VGS -4.5V · ID -4.2A 조건은 최대 95mΩ · 표준 75mΩ 입니다. 게이트 전압과 드레인 전류 조건이 다르면 값도 달라지므로 실제 구동 전압에서 규정된 값으로 도통 손실을 계산하고 온도 상승분을 더해 여유를 두십시오.
문턱전압과 구동 조건을 구분하십시오
VGS(th)는 ID -250µA 시험에서 정한 문턱입니다. 온저항은 별도의 VGS·ID 조건으로 규정되므로 문턱전압만으로 충분히 켜진다고 판단하지 마십시오. P채널의 오프 상태는 게이트를 소스 전위에 가깝게 두는 방향이며, 음의 VGS를 더 크게 거는 방향이 아닙니다.
두 기판 조건이 함께 적혀 있습니다
1인치 사각 동박 기준 1.7W · 75℃/W 와 최소 권장 패드 기준 107℃/W 가 따로 규정돼 있습니다. 양산 기판의 동박 면적에 맞는 값을 골라 전류와 발열을 계산하십시오.
스위칭 시간을 시험조건과 함께 보십시오
입력 용량 563pF는 VDS -25V·VGS 0V·1MHz, 총 게이트 전하 11nC는 VDS -15V·VGS -10V·ID -3.8A의 대표값입니다. 턴오프 지연 31ns는 VDS -15V·VGS -10V·ID -1A·RG 6Ω 조건이므로 실제 드라이버 능력을 이 값만으로 단정하지 마십시오.
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상품정보제공고시
| 품명 및 모델명 | DMP3085LSD-13 (DMP3085LSD-13_DIO) |
|---|---|
| 인증·허가 사항 | 확인된 인증 정보 없음 — 문의 시 안내 |
| 제조국(원산지) | 상품별 상이 — 문의 시 안내 |
| 제조자(브랜드) | Diodes Incorporated |
| A/S 책임자와 전화번호 | (주)유성반도체 고객센터 · 010-4178-8394 (평일 09:00–18:00) |
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