DMN3190LDW-7 은 Diodes Incorporated 의 SOT363 소신호 N채널 2소자 MOSFET 입니다. 30V 1A 급 N채널 두 개를 SOT363 에 담은 2소자 형이며 게이트 ESD 보호가 들어간 범용 전원 관리용 MOSFET 입니다. SOT363 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 3000개(테이프&릴 · 접미 -7) 입니다.

채널 형식

N채널 증가형 2소자

독립 N채널 2소자 · 게이트 ESD 보호 구조이며 10V · 4.5V 두 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

30V

VGS 0V · ID 1mA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다

연속 드레인 전류 (ID)

1000mA

TA 25℃ · VGS 10V · 1인치 사각 동박 방열 정상 상태 값이며 TA 70℃ 에서는 900mA · 5초 이내는 1300mA 다 · 펄스는 9.6A 다

온저항 RDS(on)

190mΩ 최대

VGS 10V · ID 1.3A 조건 최대값이며 표준값은 122mΩ 이다 · VGS 4.5V · ID 290mA 에서는 최대 335mΩ · 표준 181mΩ 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 2.0nC

VGS 10V 조건 표준값이며 4.5V 구동 기준은 0.9nC · 게이트-소스 전하와 게이트-드레인 전하는 각각 0.3nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±20V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 게이트 ESD 보호 구조다

VGS(th)

1.5 ~ 2.8V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID 250µA 를 흘린 조건이다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다

드레인-소스 전압

30V

게이트 정격

±20V

전류·전력 정격

펄스 9.6A · 소비 전력 0.4W

온도

접합·보관 -55 ~ +150℃

소비 전력 0.4W 와 열저항 320℃/W 는 1인치 사각 동박 방열 조건이고 최소 권장 패드에서는 0.32W · 395℃/W 다 · 접합-케이스 열저항 143℃/W · 바디 다이오드 연속 전류 0.5A 다

패키지

SOT363

표준 SOT363 외형이며 무게 0.006g · 마킹 N31 다

실장

표면실장

포장은 릴 3000개(테이프&릴 · 접미 -7)

입력 용량 87pF · 출력 용량 17pF · 귀환 용량 12pF(VDS 20V) · 게이트 저항 69.8Ω 이며 스위칭은 VDD 30V · VGS 10V · RG 10Ω · ID 100mA 조건에서 턴온 지연 4.5ns · 상승 8.9ns · 턴오프 지연 30.3ns · 하강 15.6ns 다. 바디 다이오드 순방향 전압은 1.2V 최대(IS 250mA) 다.