DMN33D9LV-7A 은 Diodes Incorporated 의 SOT563 소신호 N채널 2소자 MOSFET 입니다. 30V 350mA 급 N채널 두 개를 SOT563 에 담은 2소자 형이며 게이트 ESD 보호가 들어가고 2.5V 구동 온저항까지 규정된 MOSFET 입니다. SOT563 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 3,000개(7인치 릴 · 8mm 테이프 · 접미 -7A) 입니다.

채널 형식

N채널 증가형 2소자

독립 N채널 2소자 · 게이트 ESD 보호 구조이며 10V 부터 2.5V 까지 네 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

30V

VGS 0V · ID 1mA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다

연속 드레인 전류 (ID)

350mA

TA 25℃ · VGS 4.5V · FR-4 2oz 동박 최소 권장 패드 정상 상태 값이며 TA 70℃ 에서는 200mA 다 · 펄스 0.8A 는 10µs · 듀티 1% 조건이다

온저항 RDS(on)

3Ω 최대

VGS 4.5V · ID 250mA 조건 최대값이며 표준값은 0.3Ω 이다 · 10V 구동에서는 최대 2.4Ω · 4.0V 구동 5.0Ω · 2.5V 구동 7.0Ω 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 1.23nC

VGS 10V · VDS 10V · ID 250mA 조건 표준값이며 4.5V 구동 기준은 0.55nC · 게이트-소스 전하와 게이트-드레인 전하는 각각 0.14nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±20V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 게이트 ESD 보호 구조다

VGS(th)

0.8 ~ 1.4V

VDS 3V · ID 100µA 조건의 문턱 전압이며 온저항 보증 구동 전압과 구분한다

전압 한계

VDSS 30V · VGSS ±20V

전류 한계

펄스 0.8A

소비 전력 한계

0.43W

온도 한계

접합·보관 -55 ~ +150℃

소비 전력 0.43W 와 열저항 288℃/W 는 FR-4 2oz 동박 최소 권장 패드 정상 상태 조건이고 TA 70℃ 에서는 0.20W 다 · 바디 다이오드 연속 전류는 0.5A 다

패키지

SOT563

표준 SOT563 외형이며 무게 0.006g · 마킹 34B 다

실장

표면실장

포장은 릴 3,000개(7인치 릴 · 8mm 테이프 · 접미 -7A)

입력 용량 대표 48pF · 출력 용량 대표 11pF · 귀환 용량 대표 8pF(VDS 5V) 이며 스위칭은 VDD 30V · VGS 10V · RG 25Ω · ID 200mA 조건의 대표값으로 턴온 지연 2.9ns · 상승 2.6ns · 턴오프 지연 18.2ns 다. 바디 다이오드 순방향 전압은 1.2V 최대 · 표준 0.8V(IS 115mA) 다.