DMP21D0UFB4-7B 은 Diodes Incorporated 의 X2-DFN1006-3 소신호 P채널 MOSFET 입니다. -20V -0.77A 급 P채널이며 높이 0.4mm 의 1×0.6mm 초소형 외형에 게이트 ESD 보호를 넣은 절체용 MOSFET 입니다. X2-DFN1006-3 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 10,000개(7인치 릴 · 8mm 테이프 · 2mm 피치) 입니다.

채널 형식

P채널 증가형

단일 P채널 · 게이트 ESD 보호가 들어 있고 -4.5V · -2.5V · -1.8V 세 저전압 구동 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

-20V

VGS 0V · ID -250µA 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 VDS -20V 에서 -1µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

-0.77A

TA 25℃ · 2온스 동박 최소 권장 패드 조건이며 TA 85℃ 에서는 -0.55A 다 · 펄스는 -5.0A 다

온저항 RDS(on)

690mΩ 최대

VGS -2.5V · ID -300mA 조건 최대값이며 VGS -4.5V · ID -400mA 조건은 최대 495mΩ · VGS -1.8V · ID -100mA 조건은 최대 960mΩ 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 1.0nC

VGS -4.5V · VDS -15V · ID -1A 조건 표준값이며 -8V 구동 기준 1.5nC · 게이트-소스 전하 0.2nC · 게이트-드레인 전하 0.3nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±8V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 누설은 ±8V 에서 ±10µA 이하다

VGS(th)

-0.5 ~ -1.0V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID -250µA 를 흘린 조건이며 표준값은 -0.7V 다

전압 정격

VDSS -20V · VGSS ±8V

전류 정격

IDM -5.0A(10µs · 듀티 1% · 최소 패드)

소비 전력 정격

0.99W

FR-4 2oz 및 열 비아로 연결한 바닥층 1인치 사각 동박에서 0.99W · 126℃/W, 최소 권장 패드에서 0.43W · 293℃/W다.

온도 정격

접합 TJ·보관 Tstg -55~+150℃

패키지

X2-DFN1006-3

표준 X2-DFN1006-3 외형이며 무게 0.001g · 마킹 NO 다 · 최대 높이 0.4mm 저프로파일이다

실장

표면실장

포장은 릴 10,000개(7인치 릴 · 8mm 테이프 · 2mm 피치)

다음 용량·스위칭 수치는 대표값이다. 입력 용량 76.5pF · 출력 용량 13.7pF · 귀환 용량 10.7pF(VDS -10V · 1MHz) · 게이트 저항 195Ω 대표 이며 스위칭은 VDS -10V · 전류 1A · VGS -4.5V · RG 6Ω 조건에서 턴온 지연 7.1ns · 상승 8.0ns · 턴오프 지연 31.7ns · 하강 18.5ns 다. 게이트 ESD 보호 구조가 들어 있다. 바디 다이오드 VSD는 -1.2V 최대(IS -300mA · VGS 0V)다.