DMP2200UDW-13 은 Diodes Incorporated 의 SOT363 소신호 P채널 2소자 MOSFET 입니다. -20V -0.9A 급 P채널 두 개를 SOT363 에 담은 2소자 형이며 게이트 ESD 보호를 갖춘 절체·부하 스위치용 MOSFET 입니다. SOT363 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 10,000개(테이프&릴 · 접미 -13) 입니다.

채널 형식

P채널 증가형 2소자

독립 P채널 2소자 · 게이트 ESD 보호가 들어 있고 -4.5V · -2.5V · -1.8V 세 저전압 구동 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

-20V

VGS 0V 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 VDS -16V 에서 -1µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

-0.9A

TA 25℃ · FR-4 2oz 1인치 사각 동박 값이며 TA 85℃ 에서는 -0.7A 다

온저항 RDS(on)

260mΩ 최대

VGS -4.5V · ID -0.88A 조건 최대값이며 표준 180mΩ 이다 · VGS -2.5V · ID -0.71A 조건은 최대 500mΩ · VGS -1.8V · ID -0.20A 조건은 최대 1000mΩ 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 2.1nC

VGS -4.5V · VDS -10V · ID -1.7A 조건 표준값이며 게이트-소스 전하 0.4nC · 게이트-드레인 전하 0.5nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±8V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 게이트-바디 누설은 ±8V 에서 ±10µA 이하다

VGS(th)

-0.4 ~ -1.2V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID -250µA 를 흘린 조건이며 온저항 시험 구동 전압과 구분해야 한다

전압 정격

VDSS -20V · VGSS ±8V

전류 정격

ID -0.9A(TA 25℃) · -0.7A(TA 85℃)

소비 전력 정격

0.6W

FR-4 2oz 1인치 사각 동박에서 0.6W · 208℃/W, 최소 권장 패드에서 0.45W · 275℃/W다. 접합-케이스 열저항은 72℃/W다.

온도 정격

접합 TJ·보관 Tstg -55~+150℃

패키지

SOT363

표준 SOT363 외형이며 무게 0.006g · 마킹 P22 다

실장

표면실장

포장은 릴 10,000개(테이프&릴 · 접미 -13)

다음 용량·스위칭 수치는 대표값이다. 입력 용량 184pF · 출력 용량 26.4pF · 귀환 용량 18.5pF(VDS -10V · 1MHz) · 게이트 저항 221Ω 대표 이며 스위칭은 VDD -10V · ID -1.5A · VGS -4.5V · RGEN 1Ω 조건에서 턴온 지연 9.8ns · 상승 88ns · 턴오프 지연 24.4ns · 하강 45ns 다. 두 소자 모두 게이트 보호 구조가 들어 있다. 바디 다이오드 VSD는 -0.8V 대표 · -1.2V 최대(IS -0.48A · VGS 0V)다.