상세 정보
개요
AP62200WU-7 은 Diodes Incorporated 의 4.2~18V 입력 2A 동기 정류 강압 컨버터입니다. 90mΩ 상측 · 65mΩ 하측 전력 MOSFET 을 내장하고 정시간(COT) 제어로 빠른 과도 응답과 쉬운 루프 안정을 얻으며 가벼운 부하에서는 펄스 주파수 변조(PFM)로 넘어갑니다. 되먹임 기준 0.800V 판이며 스위칭 노드 울림을 억제하는 게이트 구동으로 전자파를 줄였습니다. TSOT-26 외형에 표면실장 방식이며 포장은 7인치 릴 3,000개입니다.
전기 특성
- 출력 전압
- 0.8 ~ 7V 조정형
- 되먹임 전압은 25℃ 0.792~0.808V · 전 온도 0.784~0.816V(대표 0.800V) 입니다
- 출력 전류
- 2A
- 하측 밸리 전류 제한은 2.0~2.8A(대표 2.4A) 입니다
- 입력 전압
- 4.2 ~ 18V
- 전원 투입 상승 문턱은 대표 3.90V · 최대 4.15V 이고 저전압 차단 하강 문턱은 대표 3.6V 입니다
- 스위칭 주파수
- 750kHz 대표
- VIN 12V · VOUT 5V 연속 도통 조건의 의사 고정 주파수이며 최소 온타임 90ns · 최소 오프타임 220ns(대표) 입니다
- 소비 전류
- 정지 대표 135µA · 차단 대표 1.3µA
- 정지 전류는 VFB 0.85V 무스위칭 · 차단 전류는 EN 0V 조건입니다
- 스위치 온저항
- 상측 90mΩ · 하측 65mΩ (대표)
- 소프트 스타트 2.5ms 내장이며 과열 차단은 +160℃ 에서 걸리고 +140℃ 에서 소프트 스타트로 재기동합니다동작 접합 온도 -40~+125℃(권장)
최대 정격
- 절대최대 공급 전압
- 20V
- VIN -0.3~+20V(DC) · 400ms 이내 +22V 이고 SW -1.0V~VIN+0.3V · BST VSW+6V · EN -0.3~+8V · FB -0.3~+6V 입니다
- 접합 온도
- 최대 +160℃
- 보관 -65~+150℃ · 리드 온도 +260℃ · ESD HBM ±2000V · CDM ±500V 입니다2층 2oz 기판 최소 패드에서 TSOT-26 접합-주위 70℃/W · 접합-케이스 12℃/W 입니다
기계
- 패키지
- TSOT-26
- 문서 표기는 TSOT26(Standard) 이며 핀은 1 GND · 2 SW · 3 VIN · 4 FB · 5 EN · 6 BST 입니다
- 실장
- 표면실장
- 포장은 7인치 릴 3,000개 단위
참고 (계열·주변장치)
같은 문서가 AP62200(PFM/PWM · 0.800V) · AP62201(PWM 전용 · 정지 전류 270µA) · AP62200T(PFM/PWM · 0.763V · TSOT-26 전용)를 함께 규정하며 이 품번은 AP62200 의 TSOT-26 판입니다. 문서 응용 분야는 5V · 12V 분산 전원 버스 · 평판 TV · 모니터 · 백색 가전 · FPGA · DSP · ASIC 전원 · 네트워크 장비 등이며 차량용 변경 관리 판은 제조사 문의로 안내됩니다.
AI 엔지니어 팁
구매 전 꼭 확인하세요 · 실무 체크포인트
가벼운 부하에서는 PFM 으로 넘어갑니다
인덕터 전류가 0A 에 닿는 경부하에서는 PFM 으로 들어가 스위칭 주파수를 스스로 낮추며 문서는 5mA 부하에서 최대 84% 효율을 밝힙니다. 경부하와 중부하의 경계 전류는 (VIN − VOUT) / (2L) × tON 이고 tON 은 VOUT / (VIN × fSW) 입니다.
EN 은 띄워 두면 스스로 켜집니다
EN 에 내부 1.5µA 풀업이 있어 띄워 두면 문턱(대표 1.2V)에 닿을 때 자동 기동합니다. EN–GND 사이 세라믹 커패시터로 기동을 늦출 수 있으며 필요한 용량은 Cd[nF] ≈ 0.278 × td[ms] 입니다.
과전류가 이어지면 히컵으로 쉽니다
하측 MOSFET 의 사이클별 밸리 전류 제한이 2.5ms 동안 계속 걸리거나 FB 가 495mV 아래로 떨어지면 히컵 모드로 꺼지고 20ms 뒤 다시 기동합니다. 전류 제한 문턱은 온저항의 온도 변화를 보상하도록 0.4%/℃ 온도 계수를 갖습니다.
입력 저전압 문턱을 저항으로 올릴 수 있습니다
기본 저전압 차단은 입력 3.6V 에서 걸리며 VIN–EN–GND 분압 저항(R3 · R4)과 EN 의 5.5µA 히스테리시스 전류로 켜짐 · 꺼짐 문턱을 올릴 수 있습니다. 문서 식은 R3 = (0.917 × VON − VOFF) / 5.625µA 이고 VON 은 4.15V · VOFF 는 3.85V 보다 커야 합니다.
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상품정보제공고시
| 품명 및 모델명 | AP62200WU-7 (AP62200WU-7_DIO) |
|---|---|
| 인증·허가 사항 | 확인된 인증 정보 없음 — 문의 시 안내 |
| 제조국(원산지) | 상품별 상이 — 문의 시 안내 |
| 제조자(브랜드) | Diodes Incorporated |
| A/S 책임자와 전화번호 | (주)유성반도체 고객센터 · 010-4178-8394 (평일 09:00–18:00) |
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