BPW96B 는 Vishay Semiconductors 의 실리콘 NPN 포토트랜지스터로, T-1¾ 패키지 품번입니다. 스탠드오프 리드 · 높은 광감도 · 높은 방사 감도 · 가시광 · 근적외선 검출 적합을 갖췄습니다. 전자 제어·구동 회로 검출기 용도에 씁니다.

광전류 IL

4.5 mA(@1 mW/cm²)

Ee = 1 mW/cm² · λ = 950 nm · VCE = 5 V 의 컬렉터 광전류 Ica 대표값이며 범위 2.5 mA to 7.5 mA 다

피크 감도 파장

850 nm

대표값이며 분광 감도 범위 λ0.1 는 450 nm to 1080 nm 다

응답 시간

ton 2.0 µs · toff 2.3 µs

VS = 5 V · IC = 5 mA · RL = 100 Ω 대표값이며 차단 주파수 fc 는 180 kHz 다

반감도 각 ϕ

±20°

대표값이다

포화 전압 VCEsat

0.3 V 이하

Ee = 1 mW/cm² · λ = 950 nm · IC = 0.1 mA 최댓값이다

암전류 ICEO

200 nA 이하

VCE = 20 V · E = 0 최댓값이며 대표 1 nA 다

컬렉터-이미터 용량 CCEO

3 pF

VCE = 5 V · f = 1 MHz · E = 0 대표값이다

컬렉터-이미터 전압 VCEO

70 V

최대 정격이며 이미터-컬렉터 전압 VECO 는 5 V 다

컬렉터 전류 IC

50 mA

최대 정격이며 피크 ICM 은 100 mA(tp/T ≤ 0.5 · tp ≤ 10 ms) 다

동작 온도

-40 ℃ to +100 ℃

주위 온도 Tamb 정격이며 보관 온도 Tstg 는 -40 ℃ to +100 ℃ 다

소비전력 PV

150 mW

최대 정격(Tamb ≤ 47 ℃)이다

접합 온도 Tj

100 ℃

최대 정격이다

열저항 RthJA

350 K/W

Cu 선 0.14 mm² 연결 기준이다

패키지

T-1¾

외형 Ø 5 mm 발주 정보 표의 패키지 형태다

실장

스루홀

Package type 「leaded」 표기다

납땜 온도 Tsd

260 ℃

t ≤ 3 s 조건이다

값은 BPW96B, BPW96C 데이터시트(문서 81532 · 2011년 8월판)의 기본 특성 · 최대 정격표에서 읽었습니다. 발주 정보 표의 BPW96B 는 벌크 포장 · 봉지당 4000 pcs · MOQ 4000 pcs 입니다. 같은 문서의 BPW96C 는 광전류 등급만 다른 품번(4.5 mA to 15 mA)이고, 이 품번은 2.5 mA to 7.5 mA 등급입니다.