
상세 정보
개요
DMC3032LFDB-7 은 Diodes Incorporated 의 U-DFN2020-6 전력용 N+P채널 상보형 MOSFET 입니다. 30V N채널 5.3A 와 -30V P채널 -3.4A 를 2×2mm 패키지에 담은 상보형 쌍이며 차체 제어 전장·전원 관리용 MOSFET 입니다. U-DFN2020-6 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 3,000개(테이프&릴 · 접미 -7) 입니다.
전기 특성
- 채널 형식
- N채널 + P채널 증가형
- N채널 · P채널이 독립 단자로 나오며 둘 다 10V · 4.5V 구동 온저항이 규정돼 있다
- 드레인-소스 전압 (VDSS)
- N 30V · P -30V
- VGS 0V · ID ±250µA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다
- 연속 드레인 전류 (ID)
- N 5.3A · P -3.4A
- TA 25℃ · VGS ±10V 정상 상태 값이며 TA 75℃ 에서는 N 4.2A · P -2.7A 다 · 펄스는 10µs · 듀티 1% 다
- 온저항 RDS(on)
- N 30mΩ · P 70mΩ 최대
- N 소자 기준 VGS 10V · ID 5.8A 조건이며 표준 24mΩ · 4.5V 구동 최대 42mΩ 이다 · P 소자는 VGS -10V 조건이며 표준 53mΩ · -4.5V 구동 최대 100mΩ 이다
- 게이트 구동
- 총 게이트 전하 N 10.6nC · P 7.8nC
- VGS ±10V 조건 표준값이며 4.5V 구동 기준은 N 5.0nC · P 4.0nC 다 · 게이트-드레인 전하는 N 1.8nC · P 2.5nC 다
- 게이트-소스 전압 (VGS)
- ±20V
- 두 소자 공통 절대 최대 정격이며 누설은 ±100nA 이하다
- VGS(th)
- N 1.0 ~ 2.0V · P -1.0 ~ -2.1V
- VDS 와 VGS 를 묶고 ID ±250µA 를 흘린 조건의 문턱전압이며 온저항 시험 전압과 구별한다
최대 정격
- 전압 한계
- VDSS N 30V · P -30V / VGS ±20V
- 펄스 드레인 전류
- N 20A · P -20A
- 소비 전력
- 1.28W
- 온도 한계
- 접합·보관 -55 ~ +150℃
- 소비 전력 1.28W 와 열저항 98℃/W 는 1인치 사각 동박 방열 조건이고 최소 권장 패드에서는 0.8W · 149℃/W 다 · 애벌런치는 N 12A · P -14A · 각 10mJ 다(0.1mH · 초기 TJ 25℃ · 낮은 반복률/듀티)
기계
- 패키지
- U-DFN2020-6
- Type B 외형이며 무게 0.0065g · 마킹 BH 다
- 실장
- 표면실장
- 포장은 릴 3,000개(테이프&릴 · 접미 -7)
참고
아래 동적 특성과 전달 어드미턴스는 대표값이다. N 소자는 입력 용량 500pF · 출력 용량 52pF · 귀환 용량 44pF 이며 턴온 지연 2.2ns · 상승 2.6ns · 턴오프 지연 9.7ns · 하강 2.0ns 다. P 소자는 입력 용량 336pF · 출력 용량 70pF · 귀환 용량 49pF 이며 턴온 지연 6.0ns · 상승 5.0ns · 턴오프 지연 17.6ns · 하강 9.5ns 다. 바디 다이오드 연속 전류는 N 1.6A · P -1.2A · 펄스는 ±20A(370µs · 듀티 1%) 이며 순방향 전압은 N 1.2V · P -1.2V 최대다.
AI 엔지니어 팁
구매 전 꼭 확인하세요 · 실무 체크포인트
온저항 기준 조건을 확인하십시오
N 30mΩ · P 70mΩ 최대 은 N 소자 기준 VGS 10V · ID 5.8A 조건이며 표준 24mΩ · 4.5V 구동 최대 42mΩ 입니다 · P 소자는 VGS -10V 조건이며 표준 53mΩ · -4.5V 구동 최대 100mΩ 입니다. 게이트 전압과 드레인 전류 조건이 다르면 값도 달라지므로 실제 구동 전압에서 규정된 값으로 도통 손실을 계산하고 온도 상승분을 더해 여유를 두십시오.
문턱전압과 온저항 시험 조건을 구별하십시오
VGS(th)는 ID ±250µA에서 측정한 문턱전압입니다. 부하를 구동할 때는 RDS(on)의 게이트 전압과 전류 조건을 확인하십시오. N·P 소자 모두 게이트 전압은 각 소스에 대한 VGS로 판단하며, P채널을 끌 때 게이트를 소스보다 낮추는 방식으로 해석하지 마십시오.
애벌런치 정격이 규정된 상보형 쌍입니다
N 12A · P -14A · 각 10mJ 로 규정되며 인덕턴스 0.1mH · 초기 TJ 25℃ · 낮은 반복률과 듀티 기준입니다. 모터나 솔레노이드처럼 유도성 부하를 끊는 회로에서 클램프가 동작하기 전 에너지가 이 범위 안에 드는지 확인하십시오.
소비 전력이 기판 조건에 따라 1.6배 차이 납니다
1인치 사각 동박 조건 1.28W · 98℃/W 와 최소 권장 패드 조건 0.8W · 149℃/W 두 값이 있습니다. 2×2mm 패키지라 동박이 곧 방열판이므로 실제 기판 조건에 맞는 값으로 전류를 잡으십시오.
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상품정보제공고시
| 품명 및 모델명 | DMC3032LFDB-7 (DMC3032LFDB-7_DIO) |
|---|---|
| 인증·허가 사항 | 확인된 인증 정보 없음 — 문의 시 안내 |
| 제조국(원산지) | 상품별 상이 — 문의 시 안내 |
| 제조자(브랜드) | Diodes Incorporated |
| A/S 책임자와 전화번호 | (주)유성반도체 고객센터 · 010-4178-8394 (평일 09:00–18:00) |
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