DMC3060LVT-7 은 Diodes Incorporated 의 TSOT26 전력용 N+P채널 상보형 MOSFET 입니다. 30V N채널 3.6A 와 -30V P채널 -2.8A 를 TSOT26 에 담은 상보형 쌍이며 DC-DC 컨버터·전원 관리용으로 3.3V 구동 온저항까지 규정된 MOSFET 입니다. TSOT26 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 3,000개(테이프&릴 · 접미 -7) 입니다.

채널 형식

N채널 + P채널 증가형

N채널 · P채널이 독립 단자로 나오며 둘 다 10V · 4.5V · 3.3V 세 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

N 30V · P -30V

VGS 0V · ID ±250µA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다

연속 드레인 전류 (ID)

N 3.6A · P -2.8A

TA 25℃ · VGS ±4.5V · 1인치 사각 동박 방열 조건이며 TA 70℃ 에서는 N 2.8A · P -2.2A 다 · 펄스는 10µs · 듀티 1% 다

온저항 RDS(on)

N 60mΩ · P 95mΩ 최대

N 소자 기준 VGS 10V · ID 3.1A 조건이며 표준 42mΩ · 4.5V 구동 최대 100mΩ 이다 · P 소자는 VGS -10V 조건이며 표준 60mΩ · -4.5V 구동 최대 140mΩ 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 N 11.3nC · P 8.6nC

VGS ±10V 조건 표준값이며 4.5V 구동 기준은 N 5.6nC · P 4.4nC 다 · 게이트-드레인 전하는 N 1.8nC · P 1.5nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±12V

두 소자 공통 절대 최대 정격이며 누설은 ±100nA 이하다

VGS(th)

N 0.7 ~ 1.8V · P -0.7 ~ -2.1V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID ±250µA 를 흘린 조건이며 표준값은 N 1.0V · P -1.1V 다

전압 한계

VDSS N 30V · P -30V / VGS ±12V

펄스 드레인 전류

N 16A · P -16A

소비 전력

1.16W

온도 한계

접합·보관 -55 ~ +150℃

소비 전력 1.16W 와 열저항 108℃/W 는 1인치 사각 동박 방열 조건이고 최소 권장 패드에서는 0.83W · 151℃/W 다 · 바디 다이오드 연속 전류는 N 1.1A · P -1.0A 다

패키지

TSOT26

표준 TSOT26 외형이며 무게 0.013g · 마킹 CN7 다

실장

표면실장

포장은 릴 3,000개(테이프&릴 · 접미 -7)

아래 용량·스위칭 시간·게이트 저항·역회복 값은 대표값이다. N 소자는 입력 용량 395pF · 출력 용량 39pF · 귀환 용량 26pF 이며 턴온 지연 5.8ns · 상승 30.8ns · 턴오프 지연 18.3ns · 하강 2.7ns 다. P 소자는 입력 용량 324pF · 출력 용량 44pF · 귀환 용량 33pF 이며 턴온 지연 7.7ns · 상승 17.8ns · 턴오프 지연 17.8ns · 하강 29.5ns 다. 바디 다이오드 순방향 전압은 N 1V · P -1.0V 최대이고 용량은 1.2MHz 조건 측정값이다.