
상세 정보
개요
DMC3028LSD-13 은 Diodes Incorporated 의 SO-8 전력용 N+P채널 상보형 MOSFET 입니다. 30V N채널 5.5A 와 -30V P채널 -5.8A(한 소자 동작 정상 상태) 를 SO-8 에 담은 상보형 쌍이며 모터 제어·백라이팅·DC-DC 컨버터·전원 관리용 MOSFET 입니다. SO-8 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 2,500개(13인치 릴 · 12mm 테이프) 입니다.
전기 특성
- 채널 형식
- N채널 + P채널 증가형
- N채널 · P채널이 독립 단자로 나오며 전류 정격이 거의 같고 P 쪽 온저항이 더 낮다
- 드레인-소스 전압 (VDSS)
- N 30V · P -30V
- VGS 0V · ID ±250µA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다
- 연속 드레인 전류 (ID)
- N 5.5A · P -5.8A
- TA 25℃ · VGS ±10V · 한 소자 동작 정상 상태다 · t≤10s는 N 7.1A · P -7.4A(TA 70℃에서는 N 5.7A · P -5.9A)다
- 온저항 RDS(on)
- N 28mΩ · P 25mΩ 최대
- N 소자 기준 VGS 10V · ID 6.0A 조건이며 4.5V 구동에서는 최대 45mΩ 이다 · P 소자는 VGS -10V · ID -7.1A 조건이며 -4.5V 구동에서는 최대 41mΩ 이다
- 게이트 구동
- 총 게이트 전하 N 10.5nC · P 31.6nC
- VDS ±15V · VGS ±10V 조건 표준값이며 4.5V 구동 기준은 N 5.2nC · P 16.4nC 다 · 게이트-드레인 전하는 N 2.3nC · P 6.2nC 다
- 게이트-소스 전압 (VGS)
- ±20V
- 두 소자 공통 절대 최대 정격이며 누설은 ±20V 에서 ±100nA 이하다
- VGS(th)
- N 1.0 ~ 3.0V · P -1.0 ~ -3.0V
- VDS 와 VGS 를 묶고 ID ±250µA 를 흘린 조건이며 상한이 ±3.0V 로 높은 편이다
최대 정격
- 전압 한계
- VDSS N 30V · P -30V / VGS ±20V
- 펄스 드레인 전류
- N 34A · P -36A
- 300µs · 듀티 2% · 한 소자 동작
- 소비 전력
- 1.8W
- 온도 한계
- 접합·보관 -55 ~ +150℃
- 소비 전력 1.8W 와 열저항 70℃/W 는 25mm 사각 FR-4 기판 단면 1oz 동박에 두 소자를 같은 전력으로 켠 정상 상태 조건이고 한 소자만 켜면 1.3W · 100℃/W 다
기계
- 패키지
- SO-8
- 표준 SO-8 외형이며 무게 0.074g · 마킹 C3028LD 다
- 실장
- 표면실장
- 포장은 릴 2,500개(13인치 릴 · 12mm 테이프)
참고
아래 동적 특성과 전달 어드미턴스는 대표값이다. N 소자는 입력 용량 472pF · 출력 용량 178pF · 귀환 용량 65pF 이며 턴온 지연 2.5ns · 턴오프 지연 14ns · 하강 9.7ns 다. P 소자는 입력 용량 1678pF · 출력 용량 303pF · 귀환 용량 178pF 이며 턴온 지연 3.5ns · 턴오프 지연 44ns · 하강 28ns 다. 순방향 전달 컨덕턴스는 N 12S · P 18.6S 이고 바디 다이오드 순방향 전압은 N 1.2V · P -1.2V 최대이며 역회복은 N 11.5ns · P 16.2ns 다.
AI 엔지니어 팁
구매 전 꼭 확인하세요 · 실무 체크포인트
온저항 기준 조건을 확인하십시오
N 28mΩ · P 25mΩ 최대 은 N 소자 기준 VGS 10V · ID 6.0A 조건이며 4.5V 구동에서는 최대 45mΩ 입니다 · P 소자는 VGS -10V · ID -7.1A 조건이며 -4.5V 구동에서는 최대 41mΩ 입니다. 게이트 전압과 드레인 전류 조건이 다르면 값도 달라지므로 실제 구동 전압에서 규정된 값으로 도통 손실을 계산하고 온도 상승분을 더해 여유를 두십시오.
문턱전압과 온저항 시험 조건을 구별하십시오
VGS(th)는 ID ±250µA에서 측정한 문턱전압입니다. 부하를 구동할 때는 RDS(on)의 게이트 전압과 전류 조건을 확인하십시오. N·P 소자 모두 게이트 전압은 각 소스에 대한 VGS로 판단하며, P채널을 끌 때 게이트를 소스보다 낮추는 방식으로 해석하지 마십시오.
게이트 전하는 시험 부하와 함께 확인하십시오
총 게이트 전하 대표값 N 10.5nC는 VDS 15V · VGS 10V · ID 6A, P 31.6nC는 VDS -15V · VGS -10V · ID -7.1A 조건입니다. 입력 용량 대표값 N 472pF · P 1678pF는 VDS ±15V에서 측정했습니다. 실제 구동 조건과 구별하십시오.
소비 전력은 동작 소자 수와 시간으로 나뉩니다
정상 상태에서 한 소자 동작은 1.3W · 100℃/W · 감쇄 10mW/℃, 두 소자 동일 전력 동작은 1.8W · 70℃/W · 14mW/℃입니다. 한 소자 t≤10s 조건은 2.1W · 60℃/W · 17mW/℃입니다. 25mm 사각 FR-4 단면 1oz 동박 조건에서 해당 행을 구별하십시오.
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상품정보제공고시
| 품명 및 모델명 | DMC3028LSD-13 (DMC3028LSD-13_DIO) |
|---|---|
| 인증·허가 사항 | 확인된 인증 정보 없음 — 문의 시 안내 |
| 제조국(원산지) | 상품별 상이 — 문의 시 안내 |
| 제조자(브랜드) | Diodes Incorporated |
| A/S 책임자와 전화번호 | (주)유성반도체 고객센터 · 010-4178-8394 (평일 09:00–18:00) |
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