DMN62D0LFB-7B 은 Diodes Incorporated 의 X1-DFN1006-3 소신호 N채널 MOSFET 입니다. 60V 320mA 급 N채널이며 1×0.6mm 초소형 외형에 게이트 ESD 보호를 넣은 MOSFET 이며 문서가 드는 용도는 DC-DC 컨버터·전원 관리·배터리 구동 기기·솔리드 스테이트 릴레이와 릴레이·솔레노이드·램프 구동입니다. X1-DFN1006-3 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 10,000개(테이프&릴 · 접미 -7B) 입니다.

채널 형식

N채널 증가형

단일 N채널 · 게이트 ESD 보호 다이오드가 들어 있고 1.8V · 2.5V · 4V 저전압 구동 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

60V

VGS 0V · ID 250µA 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 VDS 60V 에서 1.0µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

320mA

TA 25℃ · VGS 4.0V · 최소 권장 패드 단면 기판 정상 상태 값이며 TA 70℃ 에서는 75mA 다 · 펄스는 1A 다

온저항 RDS(on)

2.5Ω 최대

VGS 2.5V · ID 50mA 조건 최대값이며 표준 1.5Ω 이다 · VGS 4V · ID 100mA 조건은 최대 2Ω · VGS 1.8V · ID 50mA 조건은 최대 3Ω 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 0.45nC

VGS 4.5V · VDS 10V 조건 표준값이며 최대 0.9nC · 게이트-소스 전하 0.08nC · 게이트-드레인 전하 0.08nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±20V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 누설은 ±5V 에서 ±100nA · ±10V 에서 ±500nA · ±15V 에서 ±2.0µA 이하다

VGS(th)

0.6 ~ 1.0V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID 250µA 를 흘린 조건이며 온저항은 VGS 1.8V 조건까지 규정된다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다

드레인-소스 전압

60V

게이트 정격

±20V

전류·전력 정격

펄스 1A · 소비 전력 0.5W

온도

접합·보관 -55 ~ +150℃

소비 전력 0.5W 와 열저항 258℃/W 는 최소 권장 패드 단면 기판 조건이다

패키지

X1-DFN1006-3

표준 X1-DFN1006-3 외형이며 무게 0.001g · 마킹 NK 다

실장

표면실장

포장은 릴 10,000개(테이프&릴 · 접미 -7B)

입력 용량 32pF · 출력 용량 4.4pF · 귀환 용량 2.9pF(VDS 25V · 1MHz) · 게이트 저항 126Ω 이며 스위칭은 VGS 10V · VDS 30V · RL 150Ω · RG 25Ω · ID 200mA 조건에서 턴온 지연 3.4ns · 상승 3.4ns · 턴오프 지연 26.4ns · 하강 16.3ns(대표 · 최대 10 · 10 · 45 · 30ns) 다. 최대 기준으로는 입력 용량 64pF · 출력 용량 9pF · 귀환 용량 6pF 이고 게이트 저항 최대는 250Ω 이다. 바디 다이오드 순방향 전압은 표준 0.9V · 최대 1.3V(IS 115mA) 이고 순방향 전달 어드미턴스는 0.8S(VDS 10V · ID 200mA) 다.