DMN63D1LV-7 은 Diodes Incorporated 의 SOT563 소신호 N채널 2소자 MOSFET 입니다. 60V 550mA 급 N채널 두 개를 SOT563 에 담은 2소자 형이며 게이트 ESD 보호(2kV)를 갖춘 AEC-Q101 기준 인정 MOSFET 이며 문서가 드는 용도는 모터 제어·전원 관리·백라이트입니다. SOT563 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 3,000개(테이프&릴 · 접미 -7) 입니다.

채널 형식

N채널 증가형 2소자

독립 N채널 2소자 · 게이트에 2kV 급 ESD 보호가 들어 있고 10V · 5V 두 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

60V

VGS 0V · ID 10µA 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 VDS 60V 에서 1.0µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

550mA

TA 25℃ · VGS 10V · 1인치 각 2온스 동박 기판 정상 상태 값이며 TA 70℃ 에서는 450mA 다 · 펄스는 1.2A 이고 바디 다이오드 연속 전류는 0.5A 다

온저항 RDS(on)

2.0Ω 최대

VGS 10V · ID 0.5A 조건 최대값이며 VGS 5V · ID 0.05A 조건에서는 최대 3.0Ω 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 392pC

VGS 4.5V · VDS 10V · ID 250mA 조건 표준값이며 게이트-소스 전하 157pC · 게이트-드레인 전하 92pC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±20V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 누설은 ±20V 에서 ±10µA 이하다

VGS(th)

1.0 ~ 2.5V

VDS 10V · ID 1mA 조건이며 표준값은 1.6V 다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다

드레인-소스 전압

60V

게이트 정격

±20V

전류·전력 정격

펄스 1.2A · 소비 전력 940mW

온도

접합·보관 -55 ~ +150℃

소비 전력 940mW · 열저항 133℃/W 는 1인치 각 2온스 고피복 동박 단면 기판 조건이고 최소 권장 패드에서는 450mW · 283℃/W 다

패키지

SOT563

표준 SOT563 외형이며 무게 0.006g · 마킹 D63 다

실장

표면실장

포장은 릴 3,000개(테이프&릴 · 접미 -7)

입력 용량 30pF · 출력 용량 4.2pF · 귀환 용량 2.9pF(VDS 25V · 1MHz) · 게이트 저항 133Ω 이며 스위칭은 VDD 30V · VGS 10V · RG 25Ω · ID 200mA 조건에서 턴온 지연 3.9ns · 상승 3.4ns · 턴오프 지연 15.7ns · 하강 9.9ns 다. 두 소자는 드레인·게이트·소스가 모두 독립 단자로 나온다. 바디 다이오드 순방향 전압은 표준 0.75V · 최대 1.2V(IS 115mA) 이고 순방향 전달 어드미턴스는 최소 80mS(VDS 10V · ID 0.2A) 다.