DMN60H080DS-13 은 Diodes Incorporated 의 SOT23 고내압 N채널 MOSFET 입니다. 600V 80mA 급 N채널이며 평면 공정으로 고내압과 빠른 스위칭을 낸 소신호·레벨 시프트용 MOSFET 입니다. SOT23 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 10,000개(테이프&릴 · 접미 -13) 입니다.

채널 형식

N채널 증가형

단일 N채널 · 게이트 ESD 보호가 들어 있고 600V 내압에 입력 용량이 25pF 로 작다

드레인-소스 전압 (VDSS)

600V

VGS 0V · ID 250µA 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 VDS 600V 에서 1µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

80mA

TA 25℃ · VGS 10V · 2온스 동박 기판 정상 상태 값이며 TA 70℃ 에서는 70mA 다 · 최소 권장 패드에서는 70mA · TA 70℃ 56mA 이고 4.5V 구동에서는 50mA 다

온저항 RDS(on)

100Ω 최대

VGS 10V · ID 60mA 조건 최대값이며 표준 67Ω 이다 · VGS 4.5V · ID 60mA 조건은 최대 290Ω · 표준 95Ω 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 1.7nC

VGS 10V · VDD 300V · ID 0.01A 조건 표준값이며 게이트-소스 전하 0.3nC · 게이트-드레인 전하 0.9nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±20V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 게이트-바디 누설은 ±20V 에서 ±10µA 이하다

VGS(th)

1.5 ~ 3.0V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID 250µA 를 흘린 조건이며 ID 8µA 기준으로는 1.5 ~ 2.6V 다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다

드레인-소스 전압

600V

게이트 정격

±20V

전류·전력 정격

펄스 0.2A · 소비 전력 1.10W

온도

접합·보관 -55 ~ +150℃

소비 전력 1.10W · 열저항 99℃/W 는 2온스 동박 기판 조건이고 최소 권장 패드에서는 0.70W · 174℃/W 다 · 펄스 드레인 전류 0.2A 는 TSP 25℃ 기준이고 바디 다이오드 순방향 전압은 최대 1.5V(IS 50mA) 다

패키지

SOT23

표준 SOT23 외형이며 무게 0.008g · 마킹 K31 다

실장

표면실장

포장은 릴 10,000개(테이프&릴 · 접미 -13)

입력 용량 25pF · 출력 용량 5.2pF · 귀환 용량 1.4pF(VDS 25V) 이며 스위칭은 VDD 300V · VGS 10V · RGEN 3.3Ω · ID 60mA 조건에서 턴온 지연 7ns · 상승 10ns · 턴오프 지연 21ns · 하강 158ns 다. 순방향 전달 어드미턴스는 76mS(대표 · VDS 10V · ID 60mA) 이고 역회복 시간은 189.1ns · 역회복 전하 32nC(VR 300V) 다.