DGD2005S8-13 은 Diodes Incorporated 의 중전압 고속 게이트 드라이버로 하프브리지로 연결한 N채널 MOSFET 두 개를 구동합니다. 하이사이드는 부트스트랩 동작으로 200V 까지 스위칭하고 하이사이드·로우사이드 지연 정합이 최대 30ns 입니다. HIN·LIN 은 슈미트 트리거·내부 풀다운 입력으로 3.3V 논리까지 받습니다. 로우사이드 드라이버와 논리가 접지를 함께 씁니다. 문서가 드는 용도는 전지 구동 공구·가전·경량 전기차(LEV)·인버터입니다.

검출 전압 Vs

8.9V

VCC 저전압 잠금 상승 문턱 대표값(최소 8.0V · 최대 9.8V)이며 하강 문턱은 대표 8.2V(7.4~9.0V) 입니다하이사이드 VBS 저전압 잠금도 상승 대표 8.9V · 하강 대표 8.2V 로 같습니다

공급 전압 Vcc

10~20V

로직·로우사이드 고정 공급 권장 범위이며 하이사이드 플로팅 공급 VB 는 VS+10V 부터 VS+20V 까지입니다대기 전류는 VCC 대표 120µA(60~180µA) · VBS 대표 75µA(20~130µA) 입니다

히스테리시스

최소 0.3V

저전압 잠금 히스테리시스 행의 보증 최소값이며 대표는 0.7V 입니다

입력 문턱

논리 1 최소 2.5V / 논리 0 최대 0.6V

논리 입력 권장 범위는 0~5V 이고 입력 바이어스 전류는 논리 1 대표 5µA(최대 20µA) 입니다

출력 전류

소스 290mA · 싱크 600mA

10µs 이하 단락 펄스 기준 대표값이며 보증 최소는 소스 130mA · 싱크 270mA 입니다출력 전압 강하는 2mA 에서 하이 최대 0.2V · 로우 최대 0.1V 입니다

전파 지연

100ns

턴온·턴오프 모두 대표 100ns 이고 최대는 턴온 300ns · 턴오프 280ns · 지연 정합 최대 30ns 입니다상승 시간 대표 90ns(최대 220ns) · 하강 시간 대표 30ns(최대 80ns) · 부하 1000pF 기준입니다

동작 온도

-40~+125℃

권장 주위 온도 범위입니다

하이사이드 플로팅 공급 (VB)

-0.3~+224V

VS 는 VB-24V 부터 VB+0.3V · HO 는 VS-0.3V 부터 VB+0.3V 까지이고 VS 과도는 최대 50V/ns 입니다

전원 (VCC)

-0.3~+24V

LO 와 논리 입력 전압은 -0.3V 부터 VCC+0.3V 까지입니다

허용 손실 (PD)

0.625W

JEDEC 2층 FR-4 기판 기준이며 RθJA 200℃/W 입니다

온도 (TJ·Tstg)

접합 +150℃ / 보관 -55~+150℃

패키지

SO-8

핀 배치는 1 VCC · 2 HIN · 3 LIN · 4 COM · 5 LO · 6 VS · 7 HO · 8 VB 입니다

실장

표면실장

포장은 13인치 릴 2,500개(테이프 폭 12mm)이고 습기 민감도는 MSL 3 · 무게 약 0.075g 입니다

하이사이드 논리 동작은 VS -5V 부터 +200V 까지이고 출력은 음의 과도에 견디도록 설계됐습니다. 오프셋 누설 전류는 VB=VS=200V 에서 최대 50µA 이며 문서는 고전압 응용에서 단자 사이 연면·공간 거리를 업계 지침에 맞추라고 안내합니다.