상세 정보
개요
DGD05473FN-7 은 Diodes Incorporated 의 고주파 게이트 드라이버로 하프브리지 N채널 MOSFET 두 개를 구동합니다. 하이사이드는 50V 까지 정격이고 부트스트랩 다이오드를 내장했으며, HIN·LIN 이 HO·LO 를 각각 구동하고 EN 으로 드라이버를 끕니다. 저전압 잠금(하이·로우)과 교차 도통 방지 논리가 HO·LO 동시 켜짐을 막습니다. 문서가 드는 용도는 DC-DC 컨버터·모터 제어·전지 구동 공구·전자담배 기기·D급 전력 증폭기입니다.
전기 특성
- 검출 전압 Vs
- 3.8V
- VCC 저전압 잠금 상승 문턱 대표값(최소 3.3V · 최대 4.4V)이며 하강 문턱은 대표 3.3V(2.9~3.9V) 입니다하이사이드 VBS 저전압 잠금도 상승 대표 3.8V · 하강 대표 3.3V 로 같습니다
- 공급 전압 Vcc
- 4.5~14V
- 로직·로우사이드 고정 공급 권장 범위이며 4.5V 부터 4.9V 까지는 외부 부트스트랩 쇼트키 다이오드(0.3V · 1A)가 필요합니다VCC 대기 전류는 대표 130µA · 최대 200µA 이고 EN 로우 차단 시 최대 1µA 입니다
- 히스테리시스
- 문서 미규정
- 저전압 잠금 히스테리시스 행은 문서에 없고 논리 입력 히스테리시스는 대표 0.6V · EN 은 대표 0.1V 입니다
- 입력 문턱
- 논리 1 최소 2.4V / 논리 0 최대 0.8V
- EN 은 하이 최소 1.6V · 로우 최대 0.7V · 논리 입력 권장 범위는 0~5V 입니다
- 출력 전류
- 소스 1.5A · 싱크 2.5A
- 10µs 이하 단락 펄스 기준 대표값이며 보증 최소는 소스 1.0A · 싱크 1.9A 입니다출력 전압 강하는 100mA 에서 하이 대표 0.45V(최대 0.6V) · 로우 대표 0.15V(최대 0.22V) 입니다
- 전파 지연
- 20ns
- 턴온 대표 20ns(최대 35ns) · 턴오프 대표 23ns(최대 56ns · VS 50V) 이고 턴온 지연 정합은 최대 5ns 입니다상승 시간 대표 16ns(최대 30ns) · 하강 시간 대표 12ns(최대 25ns) · 부하 1000pF 기준입니다
- 동작 온도
- -40~+125℃
- 권장 주위 온도 범위입니다
최대 정격
- 하이사이드 플로팅 공급 (VB)
- -0.3~+60V
- VS 는 VB-14V 부터 VB+0.3V · HO 는 VS-0.3V 부터 VB+0.3V 까지이고 VS 과도는 최대 50V/ns 입니다
- 전원 (VCC)
- -0.3~+14V
- LO·논리 입력은 -0.3V~VCC+0.3V · 부트스트랩 다이오드 펄스 전류 1A(10µs 미만)
- 허용 손실 (PD)
- 0.4W
- JEDEC 2층 FR-4 기판 기준이며 RθJA 64℃/W · RθJC 42℃/W 입니다
- 온도 (TJ·Tstg)
- 접합 +150℃ / 보관 -55~+150℃
기계
- 패키지
- V-DFN3030-10
- 핀 배치는 1 VCC · 2 NC · 3 VB · 4 HO · 5 VS · 6 EN · 7 HIN · 8 LIN · 9 COM · 10 LO 이고 바닥 패드는 COM 에 연결합니다
- 실장
- 표면실장
- 포장은 7인치 릴 3,000개(테이프 폭 8mm)이고 습기 민감도는 MSL 3 입니다
참고 (계열·주변장치)
하이사이드 논리 동작은 VS -5V 부터 +50V 까지이고 하이사이드 플로팅 공급 VB 는 VS+4.2V 부터 VS+14V 까지입니다(VB 는 절대 최대 60V 이내). 내장 부트스트랩 다이오드 순방향 전압은 대표 0.67V(100µA) · 1.2V(100mA) 이며 핀 목록에 데드타임 설정 핀은 없습니다.
AI 엔지니어 팁
구매 전 꼭 확인하세요 · 실무 체크포인트
데드타임 설정 핀이 없습니다
핀 목록에 DT 핀이 없고 HIN·LIN 이 HO·LO 와 각각 같은 위상으로 동작합니다. 교차 도통 방지 논리가 HO 와 LO 의 동시 켜짐을 막고, 턴온 지연 정합은 최대 5ns 로 규정됩니다.
4.9V 미만 공급에는 외부 쇼트키가 필요합니다
VCC 4.5V 부터 4.9V 까지 쓰실 때는 외부 부트스트랩 쇼트키 다이오드(순방향 0.3V · 1A)가 필요하다고 문서 각주가 명기합니다(Figure 4). VCC 4.9V 이상이면 외부 다이오드는 필요 없습니다.
저전압 잠금 문턱
VCC 와 VBS 모두 상승 대표 3.8V(3.3~4.4V) · 하강 대표 3.3V(2.9~3.9V) 에서 잠금이 걸립니다. 하이사이드 플로팅 공급 VB 는 VS+4.2V 부터 VS+14V 사이로 두십시오.
EN 으로 드라이버를 끕니다
EN 을 로우로 내리면 게이트 드라이버가 꺼지고 VCC 차단 전류는 최대 1µA 입니다. EN 문턱은 하이 최소 1.6V · 로우 최대 0.7V(히스테리시스 대표 0.1V)로 HIN·LIN 문턱(2.4V · 0.8V)과 다릅니다.
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상품정보제공고시
| 품명 및 모델명 | DGD05473FN-7 (DGD05473FN-7_DIO) |
|---|---|
| 인증·허가 사항 | 확인된 인증 정보 없음 — 문의 시 안내 |
| 제조국(원산지) | 상품별 상이 — 문의 시 안내 |
| 제조자(브랜드) | Diodes Incorporated |
| A/S 책임자와 전화번호 | (주)유성반도체 고객센터 · 010-4178-8394 (평일 09:00–18:00) |
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