DGD2101MS8-13 은 Diodes Incorporated 의 고전압 고속 게이트 드라이버로 하이사이드·로우사이드 구성의 N채널 MOSFET 또는 IGBT 두 개를 구동합니다. 하이사이드는 부트스트랩 동작으로 600V 까지 스위칭하고 하이사이드·로우사이드 지연 정합이 최대 50ns 입니다. HIN·LIN 은 슈미트 트리거·내부 풀다운 입력으로 3.3V 논리까지 받습니다. 저전압 잠금은 VCC 에 있습니다. 문서가 드는 용도는 DC-DC 컨버터·DC-AC 인버터·AC-DC 전원·모터 제어·D급 전력 증폭기입니다.

검출 전압 Vs

8.9V

VCC 저전압 잠금 상승 문턱 대표값(최소 8.0V · 최대 9.8V)이며 하강 문턱은 대표 8.2V(7.4~9.0V) 입니다문서는 VBS 저전압 잠금 문턱을 규정하지 않습니다

공급 전압 Vcc

10~20V

로직·로우사이드 고정 공급 권장 범위이며 하이사이드 플로팅 공급 VB 는 VS+10V 부터 VS+20V 까지입니다대기 전류는 VCC 대표 150µA(최대 270µA) · VBS 대표 30µA(최대 55µA) 입니다

히스테리시스

문서 미규정

저전압 잠금 히스테리시스 행은 문서에 없습니다

입력 문턱

논리 1 최소 2.5V / 논리 0 최대 0.8V

VCC 10~20V 조건이며 문서는 입력 펄스를 진폭 2.5V 이상 · 폭 300ns 이상으로 주도록 권장합니다

출력 전류

소스 290mA · 싱크 600mA

10µs 이하 단락 펄스 기준 대표값이며 보증 최소는 소스 130mA · 싱크 270mA 입니다출력 전압 강하는 2mA 에서 하이 최대 0.2V · 로우 최대 0.1V 입니다

전파 지연

160ns

턴온 대표 160ns · 턴오프 대표 150ns(VS 600V) 이고 둘 다 최대 220ns · 지연 정합 최대 50ns 입니다상승 시간 대표 70ns(최대 170ns) · 하강 시간 대표 35ns(최대 90ns) · 부하 1000pF 기준입니다

동작 온도

-40~+125℃

권장 주위 온도 범위입니다

하이사이드 플로팅 공급 (VB)

-0.3~+624V

VS 는 VB-24V 부터 VB+0.3V · HO 는 VS-0.3V 부터 VB+0.3V 까지이고 VS 과도는 최대 50V/ns 입니다

전원 (VCC)

-0.3~+24V

LO 와 논리 입력 전압은 -0.3V 부터 VCC+0.3V 까지입니다

허용 손실 (PD)

0.625W

JEDEC 2층 FR-4 기판 기준이며 RθJA 200℃/W · RθJC 45℃/W 입니다

온도 (TJ·Tstg)

접합 +150℃ / 보관 -55~+150℃

패키지

SO-8

문서 표기는 SO-8(Type TH)이며 핀 배치는 1 VCC · 2 HIN · 3 LIN · 4 COM · 5 LO · 6 VS · 7 HO · 8 VB 입니다

실장

표면실장

포장은 13인치 릴 2,500개(테이프 폭 12mm)이고 습기 민감도는 MSL 3 · 무게 약 0.075g 입니다

하이사이드 논리 동작은 VS -5V 부터 +600V 까지이고 출력은 음의 과도에 견디도록 설계됐습니다. 오프셋 누설 전류는 VB=VS=600V 에서 최대 50µA 이며 문서는 고전압 응용에서 단자 사이 연면·공간 거리를 업계 지침에 맞추라고 안내합니다.