DGD2184MS8-13 은 Diodes Incorporated 의 600V 하프브리지 게이트 드라이버로 하프브리지로 연결한 N채널 MOSFET 또는 IGBT 두 개를 구동합니다. 하이사이드는 부트스트랩 동작으로 600V 까지 스위칭하고, 입력 IN 하나로 HO 와 LO 를 구동하며 내부 고정 데드타임이 대표 395ns 입니다. SD* 를 로우로 내리면 출력이 꺼지고 두 입력 모두 슈미트 트리거에 내부 풀다운을 갖췄습니다. 문서가 드는 용도는 DC-DC 컨버터·DC-AC 인버터·AC-DC 전원·모터 제어·D급 전력 증폭기입니다.

검출 전압 Vs

8.9V

VCC 저전압 잠금 상승 문턱 대표값(최소 8.0V · 최대 9.8V)이며 하강 문턱은 대표 8.2V(7.4~9.0V) 입니다하이사이드 VBS 저전압 잠금도 상승 대표 8.9V · 하강 대표 8.2V 로 같습니다

공급 전압 Vcc

10~20V

로우사이드 고정 공급 권장 범위이며 하이사이드 플로팅 공급 VB 는 VS+10V 부터 VS+20V 까지입니다대기 전류는 VCC 대표 1.0mA(0.4~1.8mA) · VBS 대표 60µA(20~150µA) 입니다

히스테리시스

문서 미규정

저전압 잠금 히스테리시스 행은 문서에 없습니다

입력 문턱

논리 1 최소 2.5V / 논리 0 최대 0.8V

SD* 는 상승 최소 2.5V · 하강 최대 0.8V 이고 논리 입력 권장 범위는 0~VCC 입니다

출력 전류

소스 1.9A · 싱크 2.3A

10µs 이하 단락 펄스 기준 대표값이며 보증 최소는 소스 1.4A · 싱크 1.7A 입니다출력 전압 강하는 하이 최대 1.2V(0mA) · 로우 최대 0.1V(20mA) 입니다

전파 지연

585ns

턴온 대표 585ns(최대 900ns) · 턴오프 대표 170ns(최대 400ns) · SD* 차단 대표 180ns(최대 270ns) 입니다지연 정합은 턴온 최대 90ns · 턴오프 최대 40ns 이고 상승 대표 40ns · 하강 대표 20ns 입니다

데드타임

345~445ns

대표 395ns 이며 LO→HO 와 HO→LO 양쪽에 같은 값으로 규정됩니다

동작 온도

-40~+125℃

권장 주위 온도 범위입니다

하이사이드 플로팅 공급 (VB)

-0.3~+624V

VS 는 VB-24V 부터 VB+0.3V · HO 는 VS-0.3V 부터 VB+0.3V 까지이고 VS 과도는 최대 50V/ns 입니다

전원 (VCC)

-0.3~+24V

LO 와 논리 입력(IN · SD*) 전압은 -0.3V 부터 VCC+0.3V 까지입니다

허용 손실 (PD)

0.625W

JEDEC 2층 FR-4 기판 기준이며 RθJA 200℃/W 입니다

온도 (TJ·Tstg)

접합 +150℃ / 보관 -55~+150℃

패키지

SO-8

문서 표기는 SO-8(Type TH)이며 핀 배치는 1 IN · 2 SD* · 3 COM · 4 LO · 5 VCC · 6 VS · 7 HO · 8 VB 입니다

실장

표면실장

포장은 13인치 릴 2,500개(테이프 폭 12mm)이고 습기 민감도는 MSL 3 · 무게 약 0.075g 입니다

하이사이드 논리 동작은 VS -5V 부터 +600V 까지이고 출력은 음의 과도에 견디도록 설계됐습니다. 문서 타이밍 정의상 데드타임은 한쪽 출력의 턴온 지연에서 반대쪽 출력의 턴오프 지연을 뺀 값입니다(tDT LO-HO = tON HO − tOFF LO).