DGD21904MS14-13 은 Diodes Incorporated 의 고전압 고속 게이트 드라이버로 하프브리지로 연결한 N채널 MOSFET 또는 IGBT 두 개를 구동합니다. 하이사이드는 부트스트랩 동작으로 600V 까지 스위칭하고 하이사이드·로우사이드 지연 정합이 최대 50ns 입니다. HIN·LIN 은 슈미트 트리거·내부 풀다운 입력으로 3.3V 논리까지 받습니다. 논리 접지 VSS 가 COM 과 따로 있습니다. 문서가 드는 용도는 DC-DC 컨버터·DC-AC 인버터·AC-DC 전원·모터 제어·D급 전력 증폭기입니다.

검출 전압 Vs

8.4V

VCC 저전압 잠금 상승 문턱 대표값(최소 7.6V · 최대 9.8V)이며 하강 문턱은 대표 7.8V(6.9~9.0V) 입니다하이사이드 VBS 저전압 잠금도 상승 대표 8.4V · 하강 대표 7.8V 로 같습니다

공급 전압 Vcc

10~20V

로직·로우사이드 고정 공급 권장 범위이며 하이사이드 플로팅 공급 VB 는 VS+10V 부터 VS+20V 까지입니다대기 전류는 VCC 대표 75µA(최대 200µA) · VBS 대표 45µA(최대 80µA) 입니다

히스테리시스

0.6V 대표

VCC·VBS 저전압 잠금 히스테리시스 행의 대표값이며 최소·최대는 규정되지 않았습니다

입력 문턱

논리 1 최소 2.5V / 논리 0 최대 0.8V

논리 입력 권장 범위는 0~5V 이고 문서는 입력 펄스를 진폭 2.5V 이상 · 폭 280ns 이상으로 주도록 권장합니다

출력 전류

소스 4.5A · 싱크 4.5A

단락 펄스 기준 대표값이며 보증 최소는 소스·싱크 모두 3.5A(문서 조건 PW ≤ 10ms) 입니다출력 전압 강하는 0mA 에서 하이 최대 0.1V · 로우 최대 0.035V 입니다

전파 지연

140ns

턴온·턴오프 모두 대표 140ns · 최대 200ns 이고 지연 정합은 최대 50ns 입니다상승 시간 대표 25ns(최대 50ns) · 하강 시간 대표 20ns(최대 45ns) · 부하 1000pF 기준입니다

동작 온도

-40~+125℃

권장 주위 온도 범위입니다

하이사이드 플로팅 공급 (VB)

-0.3~+624V

VS 는 VB-24V 부터 VB+0.3V · HO 는 VS-0.3V 부터 VB+0.3V 까지이고 VS 과도는 최대 50V/ns 입니다

전원 (VCC)

-0.3~+24V

논리 접지 VSS 는 VCC-24V~VCC+0.3V · LO·논리 입력은 -0.3V~VCC+0.3V 입니다

허용 손실 (PD)

0.862W

JEDEC 2층 FR-4 기판 기준이며 RθJA 145℃/W 입니다

온도 (TJ·Tstg)

접합 +150℃ / 보관 -55~+150℃

패키지

SO-14

문서 표기는 SO-14(Type TH)이며 핀 배치는 1 HIN · 2 LIN · 3 VSS · 4·8·9·10·14 NC · 5 COM · 6 LO · 7 VCC · 11 VS · 12 HO · 13 VB 입니다

실장

표면실장

포장은 13인치 릴 2,500개(테이프 폭 16mm)이고 습기 민감도는 MSL 3 · 무게 약 0.142g 입니다

문서는 높은 dV/dt 조건에서도 600V 부트스트랩 동작을 한다고 설명합니다. 하이사이드 논리 동작은 VS -5V 부터 +600V 까지이고 논리 접지 VSS 권장 범위는 -5V 부터 +5V 이며 오프셋 누설 전류는 VB=VS=600V 에서 최대 50µA 입니다.