DMG4511SK4-13 은 Diodes Incorporated 의 TO252-4L 전력용 N+P채널 상보형 MOSFET 입니다. 35V N채널 8.6A 와 -35V P채널 -7.8A 를 TO252-4L 에 담은 상보형 쌍이며 백라이팅·DC-DC 컨버터·전원 관리용 방열 패키지 MOSFET 입니다. TO252-4L 외형에 표면실장 방식이며 포장은 테이프&릴(발주 정보표는 접미 -7 판 3000개만 표기) 입니다.

채널 형식

N채널 + P채널 증가형

N채널 · P채널은 드레인 D를 공유하고 게이트·소스가 각각 나오며 둘 다 10V · 4.5V 구동 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

N 35V · P -35V

VGS 0V · ID ±250µA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다

연속 드레인 전류 (ID)

N 8.6A · P -7.8A

TA 25℃ · VGS ±10V · 1인치 사각 동박 방열 값이며 TA 70℃ 에서는 N 6.8A · P -6.2A · 10초 이내는 N 13A · P -12A 다

온저항 RDS(on)

N 35mΩ · P 45mΩ 최대

N 소자 기준 VGS 10V · ID 8A 조건이며 표준 25mΩ · 4.5V 구동 최대 65mΩ 이다 · P 소자는 VGS -10V 조건이며 표준 30mΩ · -4.5V 구동 최대 65mΩ 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 N 18.7nC · P 19.2nC

VGS ±10V · VDS ±28V 조건 표준값이며 4.5V 구동 기준은 N 8.8nC · P 9.5nC 다 · 게이트-드레인 전하는 N 2.1nC · P 3.5nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±20V

두 소자 공통 절대 최대 정격이며 누설은 ±100nA 이하다

VGS(th)

N 1.0 ~ 3.0V · P -1.0 ~ -3.0V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID ±250µA 를 흘린 조건이며 부하 구동 전압을 뜻하지 않는다

드레인-소스 전압

N 35V · P -35V

게이트 정격

±20V

전류·전력 정격

펄스 N 50A · P -50A · 소비 전력 4.1W

온도

접합·보관 -55 ~ +150℃

소비 전력 4.1W 와 열저항 30.8℃/W 는 바닥층 1인치 사각 동박에 열비아를 둔 정상 상태 조건이고 10초 이내는 8.9W · 최소 권장 패드에서는 1.54W · 81.3℃/W 다

패키지

TO252-4L

4리드 방열 리드프레임 외형이며 무게 0.328g · 마킹 G4511S 다

실장

표면실장

포장은 테이프&릴(발주 정보표는 접미 -7 판 3000개만 표기)

아래 용량·게이트 저항·스위칭 시간은 대표값이다. N 소자는 입력 용량 850pF · 출력 용량 64.7pF · 귀환 용량 51.9pF 이며 턴온 지연 5.4ns · 상승 2.8ns · 턴오프 지연 33.2ns · 하강 35.6ns 다. P 소자는 입력 용량 985.2pF · 출력 용량 90.6pF · 귀환 용량 75.3pF 이며 턴온 지연 5.2ns · 상승 4.8ns · 턴오프 지연 45.8ns · 하강 29.5ns 다. 바디 다이오드 순방향 전압은 N 1.2V(IS 8A) · P -1.2V(IS -6A) 최대다.