DMG6602SVTX-7 은 Diodes Incorporated 의 TSOT26 전력용 N+P채널 상보형 MOSFET 입니다. 30V N채널 3.4A 와 -30V P채널 -2.8A 를 TSOT26 에 담은 상보형 쌍이며 백라이팅·전원 관리용 MOSFET 입니다. TSOT26 외형에 표면실장 방식이며 포장은 테이프&릴(발주 정보표는 DMG6602SVT-7 기준 3000개) 입니다.

채널 형식

N채널 + P채널 증가형

N채널 · P채널이 독립 단자로 나오며 둘 다 10V · 4.5V 구동 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

N 30V · P -30V

VGS 0V · ID ±250µA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다

연속 드레인 전류 (ID)

N 3.4A · P -2.8A

TA 25℃ · VGS ±10V · 1인치 사각 동박 방열 정상 상태 값이며 TA 70℃ 에서는 N 2.7A · P -2.4A 다 · 4.5V 구동에서는 N 2.7A · P -2.3A 다

온저항 RDS(on)

N 60mΩ · P 95mΩ 최대

N 소자 기준 VGS 10V · ID 3.1A 조건이며 표준 38mΩ · 4.5V 구동 최대 100mΩ 이다 · P 소자는 VGS -10V · ID -2.7A 조건이며 표준 73mΩ · -4.5V 구동 최대 140mΩ 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 N 13nC · P 9nC 최대

VGS ±10V 조건 최대값이며 표준은 N 9nC · P 7nC 다 · 4.5V 구동 기준은 두 소자 모두 최대 6nC · 표준 4nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±20V

두 소자 공통 절대 최대 정격이며 누설은 ±100nA 이하다

VGS(th)

N 1.0 ~ 2.3V · P -1.0 ~ -2.3V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID ±250µA 를 흘린 조건이며 부하 구동 전압을 뜻하지 않는다

드레인-소스 전압

N 30V · P -30V

게이트 정격

±20V

전류·전력 정격

펄스 N 25A · P -20A · 소비 전력 1.27W

온도

접합·보관 -55 ~ +150℃

소비 전력 1.27W 와 열저항 102℃/W 는 1인치 사각 동박 방열 정상 상태 조건이고 TA 70℃ 에서는 0.8W · 최소 권장 패드에서는 0.84W · 155℃/W 다 · 바디 다이오드 연속 전류는 ±1.5A 다

패키지

TSOT26

표준 TSOT26 외형이며 무게 0.013g · 마킹 66C 다

실장

표면실장

포장은 테이프&릴(발주 정보표는 DMG6602SVT-7 기준 3000개)

아래 용량·게이트 저항·스위칭 시간은 대표값이다. N 소자는 입력 용량 290pF · 귀환 용량 40pF · 게이트 저항 1.4Ω 이며 턴온 지연 3ns · 상승 5ns · 턴오프 지연 13ns · 하강 3ns 다. P 소자는 입력 용량 350pF · 귀환 용량 45pF · 게이트 저항 17.1Ω 이며 턴온 지연 4.8ns · 상승 7.3ns · 턴오프 지연 20ns · 하강 13ns 다. 바디 다이오드 순방향 전압은 N 1V · P -1.0V 최대이고 접합-케이스 열저항은 34℃/W 다.