DMG4822SSD-13 은 Diodes Incorporated 의 SO-8 전력용 N채널 2소자 MOSFET 입니다. 30V 10A 급 N채널 두 개를 SO-8 한 패키지에 담은 2소자 형이며 범용 인터페이싱 스위치·전원 관리용으로 10V 구동에서 20mΩ 최대 온저항을 내는 MOSFET 입니다. SO-8 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 2,500개(테이프&릴 · 접미 -13) 입니다.

채널 형식

N채널 증가형 2소자

독립 N채널 2소자 · 게이트 저항이 1.1Ω 으로 낮고 10V · 4.5V 두 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

30V

VGS 0V · ID 250µA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다 · 드레인 누설은 1µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

10A

TA 25℃ · VGS 10V · 최소 권장 패드 배치 정상 상태 값이며 TA 85℃ 에서는 6.6A 다 · 펄스는 10µs · 듀티 1% 다

온저항 RDS(on)

20mΩ 최대

VGS 10V · ID 8.5A 조건 최대값이며 표준값은 13.4mΩ 이다 · VGS 4.5V · ID 6A 에서는 최대 31mΩ · 표준 19.5mΩ 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 10.5nC

VGS 10V · VDS 15V · ID 8.5A 조건 표준값이며 4.5V 구동 기준은 5nC · 게이트-소스 전하 1.8nC · 게이트-드레인 전하 1.6nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±25V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 누설 전류는 ±25V 에서 ±100nA 이하다

VGS(th)

1 ~ 3V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID 250µA 를 흘린 조건이며 부하 구동 전압을 뜻하지 않는다

드레인-소스 전압

30V

게이트 정격

±25V

전류·전력 정격

펄스 60A · 소비 전력 1.42W

온도

접합·보관 -55 ~ +150℃

소비 전력 1.42W 와 열저항 88.4℃/W 는 최소 권장 패드 배치 조건이며 패키지 전체 값이다 · 반복 애벌런치는 1.68A · 12.8mJ(L 0.3mH) 다

패키지

SO-8

표준 SO-8 외형이며 무게 0.072g · 마킹 G4822SD 다

실장

표면실장

포장은 릴 2,500개(테이프&릴 · 접미 -13)

아래 용량·게이트 저항·스위칭 시간은 대표값이다. 입력 용량 478.9pF · 출력 용량 96.7pF · 귀환 용량 61.4pF(VDS 16V · f 1MHz) · 게이트 저항 1.1Ω 이며 스위칭은 VDS 15V · VGS 10V · RL 1.8Ω · RG 3Ω 조건에서 턴온 지연 2.9ns · 상승 7.9ns · 턴오프 지연 14.6ns · 하강 3.1ns 다. 순방향 전달 어드미턴스는 20mS typ 이고 바디 다이오드 순방향 전압은 1.0V 최대 · 표준 0.4V(IS 1A) 다. 자동차 규격 대응품은 별도 데이터시트로 제공된다.