DMG6601LVT-7 은 Diodes Incorporated 의 TSOT26 전력용 N+P채널 상보형 MOSFET 입니다. 30V N채널 3.8A 와 -30V P채널 -2.5A 를 TSOT26 에 담은 상보형 쌍이며 백라이팅·DC-DC 컨버터·전원 관리용으로 2.5V 구동 온저항까지 규정된 MOSFET 입니다. TSOT26 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 3K개(테이프&릴 · 접미 -7) 입니다.

채널 형식

N채널 + P채널 증가형

N채널 · P채널이 독립 단자로 나오며 둘 다 10V · 4.5V · 2.5V 세 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

N 30V · P -30V

VGS 0V · ID ±250µA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다

연속 드레인 전류 (ID)

N 3.8A · P -2.5A

TA 25℃ 기준이다. N은 VGS 10V 정상 상태 3.8A, TA 70℃ 3.0A, t<10s 4.5A다. P -2.5A는 첫 쪽 Product Summary의 VGS -10V 조건을 따른다

온저항 RDS(on)

N 55mΩ · P 110mΩ 최대

N 소자 기준 VGS 10V · ID 3.4A 조건이며 표준 34mΩ · 4.5V 구동 최대 65mΩ · 2.5V 구동 최대 85mΩ 이다 · P 소자는 VGS -10V 조건이며 -4.5V 구동 최대 142mΩ 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 N 12.3nC · P 13.8nC

VGS ±10V 조건 표준값이며 4.5V 구동 기준은 N 5.4nC · P 6.5nC 다 · 게이트-드레인 전하는 N 1.2nC · P 1.6nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±12V

두 소자 공통 절대 최대 정격이며 누설은 ±100nA 이하다

VGS(th)

N 0.5 ~ 1.5V · P -0.4 ~ -1.2V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID ±250µA 를 흘린 조건이며 표준값은 N 1V · P -0.8V 다

드레인-소스 전압

N 30V · P -30V

게이트 정격

±12V

전류·전력 정격

펄스 N 20A · P -15A · 소비 전력 1.3W

온도

접합·보관 -55 ~ +150℃

소비 전력 1.3W 와 열저항 96℃/W 는 1인치 사각 동박 방열 정상 상태 조건이고 TA 70℃ 에서는 0.83W · 최소 권장 패드에서는 0.85W · 147℃/W 다

패키지

TSOT26

표준 TSOT26 외형이며 무게 0.008g · 마킹 66G 다

실장

표면실장

포장은 릴 3K개(테이프&릴 · 접미 -7)

아래 용량·게이트 저항·스위칭 시간은 대표값이다. N 소자는 입력 용량 422pF · 출력 용량 41pF · 귀환 용량 39pF 이며 턴온 지연 1.6ns · 상승 7.4ns · 턴오프 지연 31.2ns · 하강 15.6ns 다. P 소자는 입력 용량 541pF · 출력 용량 46pF · 귀환 용량 43pF 이며 턴온 지연 1.7ns · 상승 4.6ns · 턴오프 지연 18.3ns · 하강 2.2ns 다. 순방향 전달 어드미턴스는 N 6S · P 5.3S typ 이고 바디 다이오드 순방향 전압은 N 1.0V · P -1.0V 최대다.