DMN6040SSD-13 은 Diodes Incorporated 의 SO-8 전력용 N채널 2소자 MOSFET 입니다. 60V 5.0A 급 N채널 두 개를 SO-8 에 담은 2소자 형이며 DC-DC 컨버터·전원 관리·백라이트 구동용으로 10V 구동 40mΩ 최대 온저항을 내는 MOSFET 입니다. SO-8 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 2,500개(테이프&릴 · 접미 -13) 입니다.

채널 형식

N채널 증가형 2소자

독립 N채널 2소자 · AEC-Q101 인증을 받았고 10V · 4.5V 두 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

60V

VGS 0V · ID 250µA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다 · 드레인 누설은 100nA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

5.0A

TA 25℃ · VGS 10V · 정상 상태 값이며 TA 70℃ 에서는 4.1A 다 · 10초 이내 통전에서는 6.6A · TA 70℃ 5.3A 이고 펄스는 30A 다

온저항 RDS(on)

40mΩ 최대

VGS 10V · ID 4.5A 조건 최대값이며 표준값은 30mΩ 이다 · VGS 4.5V · ID 3.5A 에서는 최대 55mΩ · 표준 35mΩ 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 22.4nC

VGS 10V · VDS 30V · ID 4.3A 조건 표준값이며 4.5V 구동 기준은 10.4nC · 게이트-소스 전하 4.9nC · 게이트-드레인 전하 3.0nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±20V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 누설 전류는 ±20V 에서 100nA 이하다

VGS(th)

1 ~ 3V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID 250µA 를 흘린 조건의 문턱 전압이며 온저항 보증 구동 전압과 구분한다

전압 한계

VDSS 60V · VGSS ±20V

전류 한계

펄스 30A

소비 전력 한계

1.7W

온도 한계

접합·보관 -55 ~ +150℃

소비 전력 1.7W 와 열저항 75℃/W 는 FR-4 2oz 및 열 비아로 연결한 바닥층 1인치 사각 동박 조건이고 TA 70℃ 에서는 1.1W 다 · 최소 권장 패드에서는 1.3W · 102℃/W 이며 TA 70℃ 에서는 0.8W 다 · 접합-케이스 열저항 14.5℃/W · 애벌런치 14.2A · 10mJ 다

패키지

SO-8

표준 SO-8 외형이며 무게 0.074g · 마킹 N6040SD 다

실장

표면실장

포장은 릴 2,500개(테이프&릴 · 접미 -13)

입력 용량 대표 1287pF · 출력 용량 대표 57pF · 귀환 용량 대표 44pF(VDS 25V) · 게이트 저항 대표 1.2Ω 이며 스위칭은 VDD 30V · VGS 10V · RG 6Ω · ID 4.3A 조건의 대표값으로 턴온 지연 6.6ns · 상승 8.1ns · 턴오프 지연 20.1ns · 하강 4.0ns 다. 순방향 전달 어드미턴스는 4.5S 이고 바디 다이오드 순방향 전압은 최대 1.2V · 표준 0.7V(IS 1A) · 역회복 시간 18ns · 역회복 전하 11.9nC 다.