TEPT4400 은 Vishay Semiconductors 의 포토트랜지스터형 주변광 센서로, 외형 Ø 3 mm 품번입니다. 높은 광감도 · 사람 눈 감도에 맞춘 분광 특성을 갖췄습니다. LCD · 키패드 백라이트 디밍과 산업용 조명 on/off 제어 · CdS 광저항 대체 용도에 씁니다.

출력 방식

포토트랜지스터 아날로그 전류

실리콘 NPN 에피택셜 플레이너 포토트랜지스터의 광전류 IPCE 출력이다

감도

200 µA(@100 lx)

Ev = 100 lx · CIE 표준광 A · VCE = 5 V 대표값이며 Ev = 20 lx · CIE 표준광 A · VCE = 5 V 에서 범위 15 µA to 70 µA 다

피크 감도 파장

570 nm

대표값이며 분광 감도 범위 λ0.5 는 440 nm to 800 nm 다

반감도 각 ϕ

±30°

대표값이다

암전류 ICEO

50 nA 이하

VCE = 5 V · E = 0 최댓값이며 대표 3 nA 다

IPCE 등급

A 15 to 28.4 · B 23.5 to 44.6 · C 36.9 to 70 µA

EV = 20 lx · CIE 표준광 A 등급표 값이다

컬렉터-이미터 용량 CCEO

16 pF

VCE = 0 V · f = 1 MHz · E = 0 대표값이다

포화 전압 VCEsat

0.1 V

Ev = 20 lx · CIE 표준광 A · IPCE = 1.2 µA 대표값이다

동작 온도

-40 ℃ to +85 ℃

주위 온도 Tamb 정격이며 보관 온도 Tstg 는 -40 ℃ to +100 ℃ 다

컬렉터-이미터 전압 VCEO

6 V

최대 정격이며 이미터-컬렉터 전압 VECO 는 1.5 V 다

컬렉터 전류 IC

20 mA

최대 정격이다

소비전력 PV

100 mW

최대 정격(Tamb ≤ 55 ℃)이다

접합 온도 Tj

100 ℃

최대 정격이다

열저항 RthJA

300 K/W

JESTD 51 기준이다

패키지

T-1

외형 Ø 3 mm 패키지다

실장

스루홀

FEATURES 의 Package type 「leaded」 표기다

납땜 온도 Tsd

260 ℃

t ≤ 3 s 조건이다

값은 TEPT4400 데이터시트(문서 81341 · 2016년 6월판)의 기본 특성 · 최대 정격표에서 읽었습니다. 발주 정보 표의 TEPT4400 은 벌크 포장 · 봉지당 1000 pcs · MOQ 5000 pcs 입니다. 수광 소자라 측정 범위(조도) · 공급 전압 · 소비 전류 행이 없습니다. 광전류 · 암전류는 VCE = 5 V 조건입니다.