ZV30K1812801NIR1 은 Bourns 의 ZV SMD 저전압 배리스터입니다. 칩 배리스터는 산화아연 같은 금속 산화물 층을 여러 겹 쌓아 만든 부품으로, 평상시에는 아주 큰 저항을 보이다가 정해진 전압을 넘으면 저항이 급격히 떨어져 전류를 흘려보내고 전압을 눌러 둡니다. TVS 다이오드와 쓰임새가 겹치지만 여러 번의 충격을 반복해서 받아 낼 수 있고 크기가 작다는 점이 다릅니다. 고를 때는 회로의 정상 동작 전압보다 최대 동작 전압이 높고, 보호할 반도체가 견디는 전압보다 클램핑 전압이 낮아야 합니다. 고속 신호선에 다실 때는 정전 용량이 신호를 얼마나 둔하게 만드는지도 함께 보셔야 합니다. +150 °C 까지 필요하시면 같은 코드 체계의 HT 판을 고르시면 됩니다.

최대 동작 전압

38 V

문서 Device Ratings 표의 ZV 30 K 1812 801 행 Vdc 값이며 같은 행의 Vrms 는 30 V · 1 mA 기준 배리스터 전압 Vn 은 47 V 다

클램핑 전압

77 V

8/20 µs 파형에서 Ic 5 A 를 흘렸을 때의 클램핑 전압이며 최대 서지 전류 Imax 는 800 A · 10/1000 µs 서지 에너지 Wmax 는 4.4 J · 최대 평균 전력은 0.015 W 다

정전 용량

1800 pF

1 kHz 기준 대표 정전 용량이다

바리스터 전압 V1mA

47V ±10%

1 mA 기준 Vn 에 품번의 K 허용오차 ±10 % 를 붙인 값이다 · 문서는 누설 전류를 Vdc · +25 °C 에서 흐르는 전류(Idc)로 정의만 하고 수치는 따로 규정하지 않는다

적용 규격

IEC 1000-4-2 · MIL-STD 883C Method 3015.7

문서가 ESD 보호 규격으로 IEC 1000-4-2 와 MIL-STD 883C Method 3015.7 을 함께 규정한다

응답 시간

2 ns 미만

문서가 규정하는 응답 시간이다

피크 전류 Imax

800A

8/20 µs 단일 펄스 기준이다

사용온도

-55 ~ +125℃

사이즈

1812

품번의 1812 가 모델 크기를 뜻하며 문서 치수표는 (.185 ± .016) x (.126 ± .012) 인치로 규정한다

실장

표면실장

표면실장 부품이며 약활성 플럭스에 대한 민감도가 낮다

ZV 는 회로 기판 수준에서 집적회로와 부품을 지키는 저전압 다층 배리스터 계열입니다. 기후 등급은 55 / 125 / 56 이고 크기는 0603 부터 2220 까지 여섯 가지이며 DC 3 to 170 V · AC 2 to 130 V 범위를 덮습니다. 최대 서지 전류는 30 to 1200 A · 서지 에너지는 0.1 to 12.2 J 입니다. 임계 전압 온도계수는 +0.05 %/°C 미만이고 낮은 클램핑 전압과 짧은 응답 시간이 강점입니다. 발주 코드는 ZV · 최대 연속 동작 전압(Vrms) · Vn 허용오차(K ±10 % · L ±15 % · M ±20 %) · 모델 크기 · 최대 서지 전류 코드(300 = 30 A · 801 = 800 A · 122 = 1200 A 식) · 단자(NI 는 NiSn 배리어, 표준) · 포장(R1 은 180 mm 릴) 순서로 붙습니다.

동작 온도는 -55 to +125 °C 이며 보관 온도는 -55 to +150 °C 로 동작 온도 상한보다 높습니다.