BSS8402DW-7-F 은 Diodes Incorporated 의 SOT363 6핀 N+P채널 상보형 MOSFET 입니다. 60V N채널과 -50V P채널을 6핀 SOT363 한 패키지에 담은 상보형 쌍이며 전원 관리·아날로그 스위치·레벨 시프트 회로에서 부품 수를 줄이는 MOSFET 입니다. SOT363 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 3,000개(테이프&릴 · 접미 -7-F) 입니다.

채널 형식

N채널 + P채널 증가형

Q1 N채널 · Q2 P채널이 독립 단자로 나오며 패키지 소비 전력 200mW 를 두 소자가 나눠 쓴다

드레인-소스 전압 (VDSS)

N 60V · P -50V

N 은 VGS 0V · ID 10µA 조건 항복 전압 최소값이며 표준 70V 다 · P 는 ID -250µA 조건이며 절대 최대 정격과 같다

연속 드레인 전류 (ID)

N 115mA · P -130mA

TA 25℃ 조건 연속 정격이며 N 은 100℃ 에서 73mA · 펄스 800mA 다 · P 는 펄스 정격을 규정하지 않는다

온저항 RDS(on)

N 7.5Ω · P 10Ω 최대

N 소자 기준 VGS 5.0V · ID 0.05A 조건이며 표준 3.2Ω · TJ 125℃ · VGS 10V · ID 0.5A 에서는 최대 13.5Ω 이다 · P 소자는 VGS -5V · ID -0.100A 조건이다

게이트 구동

입력 용량 N 50pF · P 45pF 최대

N 은 VDS 25V에서 표준 22pF · 출력 용량 11pF · 귀환 용량 2.0pF 이고 P 는 VDS -25V에서 출력 용량 25pF · 귀환 용량 12pF 최대다 · 게이트 전하는 규정하지 않는다

게이트-소스 전압 (VGS)

N ±20V · P ±20V

연속 절대 최대 정격이며 N 은 펄스 ±40V 다 · 누설 전류는 ±10nA 이하다

VGS(th)

N 1.0 ~ 2.5V · P -0.8 ~ -2.0V

VDS 와 VGS 를 묶은 조건이며 N 은 ID 250µA · P 는 ID -1mA 에서 규정한다

전압 한계

VDSS N 60V · P -50V · VGS N ±20V · P ±20V

펄스 전류

N 800mA

소비 전력

200mW

온도

접합 TJ·보관 Tstg -55~150℃

소비 전력 200mW 와 열저항 625℃/W 는 패키지 전체 값이며 두 소자 합산 손실이 이 안에 들어야 한다

패키지

SOT363

표준 SOT363 외형이며 무게 0.006g · 마킹 KNP 다

실장

표면실장

포장은 릴 3,000개(테이프&릴 · 접미 -7-F)

다음 스위칭 시간은 대표값이며 별도 최대값을 병기했다. N 소자 스위칭은 VDD 30V · ID 0.2A · RL 150Ω · RGEN 25Ω · VGEN 10V 조건에서 턴온 지연 7.0ns · 턴오프 지연 11ns(각 최대 20ns) 이고 순방향 전달 컨덕턴스 80mS 최소다. P 소자 스위칭은 VDD -30V · ID -0.27A · RGEN 50Ω · VGS -10V 조건에서 턴온 지연 10ns · 턴오프 지연 18ns 이고 순방향 전달 컨덕턴스 0.05S 최소다. 바디 다이오드 순방향 전압은 두 소자 모두 규정하지 않는다.