DMC1015UPD-13 은 Diodes Incorporated 의 PowerDI5060-8 전력용 N+P채널 상보형 MOSFET 입니다. 12V N채널 9.5A 와 -20V P채널 -6.8A 를 담은 상보형 쌍이며 노트북 배터리 전원 관리·부하 스위치용 MOSFET 입니다. PowerDI5060-8 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 2,500개(테이프&릴) 입니다.

채널 형식

N채널 + P채널 증가형

N채널 · P채널이 독립 단자로 나오며 N은 4.5V·2.5V, P는 -4.5V·-2.5V 구동 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

N 12V · P -20V

VGS 0V · ID ±250µA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다

연속 드레인 전류 (ID)

N 9.5A · P -6.8A

TA 25℃ · VGS ±4.5V 정상 상태 값이며 TA 70℃ 에서는 N 7.6A · P -5.4A 다 · 10초 미만은 N 13.0A · P -9.4A 다

온저항 RDS(on)

N 17mΩ · P 35mΩ 최대

N 소자 기준 VGS 4.5V · ID 11.8A 조건이며 표준 9.6mΩ · 2.5V 구동 최대 25mΩ 이다 · P 소자는 VGS -4.5V · ID -8.9A 조건이며 표준 25mΩ · -2.5V 구동 최대 55mΩ 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 N 15.6nC · P 15.4nC

VDS N 6V·P -6V, ID N 11.8A·P -8.9A, VGS ±4.5V 조건 대표값이며 VGS ±3.3V 기준은 N 11.5nC · P 11.2nC 다 · 게이트-드레인 전하는 N 4.6nC · P 2.9nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±8V

두 소자 공통 절대 최대 정격이며 누설은 ±100nA 이하다

VGS(th)

N 0.6 ~ 1.5V · P -0.6 ~ -1.5V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID ±250µA 를 흘린 조건이며 표준값은 N 0.8V · P -0.8V 다

전압 한계

VDSS N 12V · P -20V · VGS ±8V

펄스 전류

N 65A · P -35A

10µs 펄스·듀티 1%

소비 전력

2.3W

온도

접합 TJ·보관 Tstg -55~150℃

소비 전력 2.3W 와 열저항 56℃/W 는 1인치 사각 동박 방열 조건이고 TA 70℃ 에서는 1.5W 다 · 접합-케이스 열저항 5.4℃/W · 애벌런치는 N 22A·25mJ, P -20A·20mJ(L 0.1mH · TJ 25℃ · 저빈도·저듀티)다

패키지

PowerDI5060-8

Type C 와 SWP Type R 두 외형이 있으며 무게 0.097g · 마킹 C1015UD 다

실장

표면실장

포장은 릴 2,500개(테이프&릴)

다음 용량·시간은 대표값이다. N 소자는 입력 용량 1495pF · 출력 용량 310pF · 귀환 용량 285pF 이며 턴온 지연 5.7ns · 상승 10.1ns · 턴오프 지연 40.4ns · 하강 22.5ns 다. P 소자는 입력 용량 1745pF · 출력 용량 146pF · 귀환 용량 119pF 이며 턴온 지연 7.4ns · 상승 6.2ns · 턴오프 지연 60.1ns · 하강 16.3ns 다. 바디 다이오드 순방향 전압은 N 1.2V · P -1.2V 최대이고 역회복은 N 16.4ns · P 9.2ns(IF ±2.9A · dI/dt ±100A/µs)다.