DMC1030UFDBQ-7 은 Diodes Incorporated 의 U-DFN2020-6 전력용 N+P채널 상보형 MOSFET 입니다. 12V N채널 5.1A 와 -12V P채널 -3.9A 를 2×2mm 패키지에 담은 상보형 쌍이며 부하 스위치·전원 관리용으로 1.5V 구동 온저항까지 규정된 MOSFET 입니다. U-DFN2020-6 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 3000개(테이프&릴 · 접미 -7) 입니다.

채널 형식

N채널 + P채널 증가형

N채널 · P채널이 독립 단자로 나오며 게이트 ESD 보호 구조이고 1.5V 구동 온저항까지 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

N 12V · P -12V

VGS 0V · ID ±250µA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다

연속 드레인 전류 (ID)

N 5.1A · P -3.9A

TA 25℃ · VGS ±4.5V 정상 상태 값이며 TA 70℃ 에서는 N 4.1A · P -3.1A 다 · 5초 미만은 N 6.6A · P -5.0A 다

온저항 RDS(on)

N 34mΩ · P 59mΩ 최대

N 소자 기준 VGS 4.5V · ID 4.6A 조건이며 1.8V 구동 최대 50mΩ · 1.5V 구동 최대 70mΩ 이다 · P 소자는 VGS -4.5V · ID -3.6A 조건이며 -1.8V 구동 최대 115mΩ 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 N 12.2nC · P 13nC

VDS N 10V·P -10V, ID N 6.8A·P -4.7A, VGS ±4.5V 조건 대표값이며 VGS ±8V 측정값은 N 23.1nC · P 20.8nC 다 · 게이트-드레인 전하는 N 1.5nC · P 4.5nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±8V

두 소자 공통 절대 최대 정격이며 VGS ±8V에서 누설 상한은 ±10µA다

VGS(th)

N 0.4 ~ 1V · P -0.4 ~ -1V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID ±250µA 를 흘린 조건이다

전압 한계

VDSS N 12V · P -12V · VGS ±8V

펄스 전류

N 35A · P -25A

10µs 펄스·듀티 1%

소비 전력

1.36W

온도

접합 TJ·보관 Tstg -55~150℃

소비 전력 1.89W 와 열저항 66℃/W 는 1인치 사각 동박 방열 · 5초 미만 조건이고 정상 상태에서는 1.36W · 92℃/W 다 · 애벌런치는 N 5A·P -5A, 에너지 각 4mJ(L 0.1mH · TJ 25℃ · 저빈도·저듀티)다

패키지

U-DFN2020-6

Type B 외형이며 무게 0.0065g · 마킹 D3 다

실장

표면실장

포장은 릴 3000개(테이프&릴 · 접미 -7)

다음 용량·시간은 대표값이다. N 소자는 입력 용량 1003pF · 출력 용량 132pF · 귀환 용량 115pF 이며 턴온 지연 4.4ns · 상승 7.4ns · 턴오프 지연 18.8ns · 하강 4.9ns 다. P 소자는 입력 용량 1028pF · 출력 용량 285pF · 귀환 용량 254pF 이며 턴온 지연 5.6ns · 상승 12.8ns · 턴오프 지연 30.7ns · 하강 25.4ns 다. 바디 다이오드 순방향 전압은 N 1.2V(IS 4.8A) · P -1.2V(IS -3.7A) 최대이고 역회복은 N 7.6ns(IS 5.4A) · P 31.6ns(IS -3.6A), dI/dt 100A/µs 조건이다.