상세 정보
개요
DGD0506AM10-13 은 Diodes Incorporated 의 고주파 하프브리지 게이트 드라이버로 하프브리지로 연결한 N채널 MOSFET 두 개를 구동합니다. 플로팅 하이사이드 드라이버는 50V 까지 정격이고 부트스트랩 다이오드를 내장했으며, 입력 IN 하나로 HO 와 LO 를 구동하고 데드타임을 DT 핀 저항으로 정합니다. 하이사이드·로우사이드 저전압 잠금과 교차 도통 방지 논리를 갖췄습니다. 문서가 드는 용도는 DC-DC 컨버터·모터 제어·전지 구동 공구·전자담배 기기·D급 전력 증폭기입니다.
전기 특성
- 검출 전압 Vs
- 7.0V
- VCC 저전압 잠금 상승 문턱 대표값(최소 6.0V · 최대 8.0V)이며 하강 문턱은 대표 6.6V(5.6~7.6V) 입니다하이사이드 VBS 저전압 잠금도 상승 대표 7.0V · 하강 대표 6.6V 로 같습니다
- 공급 전압 Vcc
- 8~14V
- 로직·로우사이드 고정 공급 권장 범위이며 하이사이드 플로팅 공급 VB 는 VS+8V 부터 VS+14V 까지입니다VCC 대기 전류는 대표 0.28mA · 최대 0.5mA(RDT 100kΩ) 이고 EN 로우 차단 시 최대 1µA 입니다
- 히스테리시스
- 0.4V 대표
- 저전압 잠금 상승·하강 문턱 대표값의 차이이며 입력 히스테리시스는 대표 0.6V 입니다
- 입력 문턱
- 논리 1 최소 2.4V / 논리 0 최대 0.8V
- EN 은 하이 최소 1.5V · 로우 최대 0.7V · 논리 입력 권장 범위는 0~5V 입니다
- 출력 전류
- 소스 1.5A · 싱크 2.0A
- 10µs 이하 단락 펄스 기준 대표값이며 보증 최소는 소스 0.9A · 싱크 1.5A 입니다출력 전압 강하는 100mA 에서 하이 대표 0.45V(최대 0.6V) · 로우 대표 0.15V(최대 0.22V) 입니다
- 전파 지연
- 턴오프 대표 22ns
- 턴오프 최대 56ns · 턴온은 RDT 10kΩ 에서 대표 96ns(최대 125ns) · 100kΩ 에서 대표 463ns(최대 580ns) 입니다
- 데드타임
- RDT 10kΩ 40~100ns / 100kΩ 300~560ns
- 대표 각 70ns · 430ns · 데드타임 정합 최대 50ns(RDT 100kΩ) 입니다
- 동작 온도
- -40~+125℃
- 권장 주위 온도 범위입니다
최대 정격
- 하이사이드 플로팅 공급 (VB)
- -0.3~+60V
- VS 는 VB-14V 부터 VB+0.3V · HO 는 VS-0.3V 부터 VB+0.3V 까지이고 VS 과도는 최대 50V/ns 입니다
- 전원 (VCC)
- -0.3~+14V
- LO 와 논리 입력 전압은 -0.3V 부터 VCC+0.3V 까지입니다
- 허용 손실 (PD · MSOP-10)
- 0.75W
- JEDEC 2층 FR-4 최소 권장 패드 기준이며 RθJA 166℃/W · RθJC 32℃/W 입니다
- 온도 (TJ·Tstg)
- 접합 +150℃ / 보관 -55~+150℃
기계
- 패키지
- MSOP-10
- 핀 배치는 1 VCC · 2 VB · 3 HO · 4 VS · 5 NC · 6 DT · 7 EN · 8 IN · 9 COM · 10 LO 입니다
- 실장
- 표면실장
- 포장은 13인치 릴 2,500개(테이프 폭 12mm)이고 습기 민감도는 MSL 3 입니다
참고 (계열·주변장치)
같은 문서가 W-DFN3030-10 판(DGD0506AFN-7 · 7인치 릴 3,000개)과 MSOP-10 판(본 품번)을 함께 규정합니다. 하이사이드 논리 동작은 VS -5V 부터 +50V 까지입니다(VB 는 절대 최대 60V 이내).
AI 엔지니어 팁
구매 전 꼭 확인하세요 · 실무 체크포인트
데드타임을 DT 핀 저항으로 정합니다
데드타임은 RDT 10kΩ 에서 40~100ns(대표 70ns) · 100kΩ 에서 300~560ns(대표 430ns) 이고 LO→HO 와 HO→LO 양쪽에 규정됩니다. 턴온 전파 지연도 RDT 에 따라 대표 96ns · 463ns 로 함께 달라집니다.
저전압 잠금 문턱
VCC 와 VBS 모두 상승 대표 7.0V(6.0~8.0V) · 하강 대표 6.6V(5.6~7.6V) 에서 잠금이 걸립니다. 권장 공급 하한 8V 가 상승 문턱 최대값과 같으므로 VCC 와 부트스트랩 전압 VBS 를 8V 이상으로 유지하십시오.
EN 으로 드라이버를 끕니다
EN 을 로우로 내리면 게이트 드라이버가 꺼지고 VCC 차단 전류는 최대 1µA 입니다. EN 문턱은 하이 최소 1.5V · 로우 최대 0.7V 로 IN 문턱(2.4V · 0.8V)과 다릅니다.
하이사이드 스위칭 노드 조건
VS 는 -5V 부터 +50V 까지 논리 동작이 규정되고 VS 과도 변화율은 절대 최대 50V/ns 입니다. 내장 부트스트랩 다이오드의 순방향 전압은 대표 0.67V(100µA) · 1.7V(100mA) 이며 VB 는 VS+8V 부터 VS+14V 사이로 둡니다.
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상품정보제공고시
| 품명 및 모델명 | DGD0506AM10-13 (DGD0506AM10-13_DIO) |
|---|---|
| 인증·허가 사항 | 확인된 인증 정보 없음 — 문의 시 안내 |
| 제조국(원산지) | 상품별 상이 — 문의 시 안내 |
| 제조자(브랜드) | Diodes Incorporated |
| A/S 책임자와 전화번호 | (주)유성반도체 고객센터 · 010-4178-8394 (평일 09:00–18:00) |
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