DMG8601UFG-7 은 Diodes Incorporated 의 U-DFN3030-8 전력용 N채널 2소자 MOSFET 입니다. 20V 6.1A 급 N채널 두 개를 3×3mm 패키지에 담은 2소자 형이며 게이트에 2kV ESD 보호가 들어가고 AEC-Q101 규격으로 인증된 MOSFET 입니다. U-DFN3030-8 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 3000개(테이프&릴 · 접미 -7) 입니다.

채널 형식

N채널 증가형 2소자

드레인 공통 N채널 2소자 · 게이트 ESD 보호 구조이며 4.5V · 2.5V · 1.8V 세 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

20V

VGS 0V · ID 250µA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다 · 드레인 누설은 1.0µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

6.1A

TA 25℃ · 최소 권장 패드 배치 정상 상태 값이며 TA 70℃ 에서는 5.2A 다 · 펄스는 27A 다

온저항 RDS(on)

23mΩ 최대

VGS 4.5V · ID 6.5A 조건 최대값이며 표준값은 17mΩ 이다 · 2.5V 구동에서는 최대 27mΩ · 1.8V 구동에서는 최대 34mΩ 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 8.8nC

VGS 4.5V · VDS 10V · ID 6.5A 조건 표준값이며 게이트-소스 전하 1.4nC · 게이트-드레인 전하 3.0nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±12V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 게이트 항복 전압도 ±12V 로 규정되고 누설 상한은 ±10µA 다

VGS(th)

0.35 ~ 1.05V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID 250µA 를 흘린 조건이며 부하 구동 전압을 뜻하지 않는다

드레인-소스 전압

20V

게이트 정격

±12V

전류·전력 정격

펄스 27A · 소비 전력 0.92W

온도

접합·보관 -55 ~ +150℃

소비 전력 0.92W 와 열저항 136℃/W 는 최소 권장 패드 배치 조건이며 패키지 전체 값이다 · 두 소자를 동시에 쓰면 합산 손실이 이 안에 들어야 한다

패키지

U-DFN3030-8

3×3mm 8리드 외형이며 무게 0.0172g · 마킹 2N4 다

실장

표면실장

포장은 릴 3000개(테이프&릴 · 접미 -7)

아래 용량·게이트 저항·스위칭 시간은 대표값이다. 입력 용량 143pF · 출력 용량 74pF · 귀환 용량 29pF(VDS 10V · f 1.0MHz) · 게이트 저항 202Ω 이며 스위칭은 VDD 10V · VGS 4.5V · RL 10Ω · RG 6Ω 조건에서 턴온 지연 53ns · 상승 78ns · 턴오프 지연 562ns · 하강 234ns 다. 순방향 전달 어드미턴스는 10S typ 이고 바디 다이오드 순방향 전압은 1.0V 최대 · 표준 0.7V(IS 1A) 다.