
상세 정보
개요
DMHC3025LSDQ-13 은 Diodes Incorporated 의 SO-8 H브리지 N+P채널 상보형 MOSFET 입니다. 30V N채널 2개와 P채널 2개를 SO-8 에 담은 자동차용 H브리지 구성이며 AEC-Q101 인증을 받아 차량 전장의 정역 구동 회로에 쓰는 MOSFET 입니다. SO-8 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 2,500개(테이프&릴 · 자동차 규격 준수 표기) 입니다.
전기 특성
- 채널 형식
- N채널 + P채널 증가형
- N채널 2개 · P채널 2개가 H브리지로 배선된 4소자 구성이며 AEC-Q101 규격 인증품이다
- 드레인-소스 전압 (VDSS)
- N 30V · P -30V
- VGS 0V · ID ±250µA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다
- 연속 드레인 전류 (ID)
- N 6.0A · P -4.2A
- TA 25℃ · VGS ±10V 정상 상태 값이며 VGS N 4.5V/P -4.5V 구동에서는 N 4.6A · P -3.2A 다 · TA 25℃ · 10초 미만은 N 7.8A · P -5.4A 다
- 온저항 RDS(on)
- N 25mΩ · P 50mΩ 최대
- N 소자 기준 VGS 10V · ID 5A 조건이며 표준 19mΩ · 4.5V 구동 최대 40mΩ 이다 · P 소자는 VGS -10V · ID -5A 조건이며 -4.5V 구동 최대 80mΩ 이다
- 게이트 구동
- 총 게이트 전하 N 11.7nC
- N VGS 10V·VDS 15V·ID 7.8A 조건 대표값이며 4.5V에서 5.4nC · N Qgs 1.8nC 다
- 게이트-소스 전압 (VGS)
- ±20V
- 네 소자 공통 절대 최대 정격이며 누설은 ±1µA 이하다
- VGS(th)
- N 1 ~ 2V · P -1 ~ -2V
- VDS 와 VGS 를 묶고 ID ±250µA 를 흘린 조건이다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다
최대 정격
- 드레인-소스 전압
- N 30V · P -30V
- 게이트 정격
- ±20V
- 전류·전력 정격
- 펄스 N 60A · P -30A(10µs·듀티 1%) · 소비 전력 1.5W
- 온도
- 접합·보관 -55 ~ 150℃
- 2oz 동박 1인치 사각 FR-4 기판에서 소비 전력 1.5W 와 열저항 83℃/W 는 정상 상태 값이고 10초 미만은 50℃/W 다 · 접합-케이스 열저항 14.5℃/W · 바디 다이오드 연속 전류는 ±2.5A 다
기계
- 패키지
- SO-8
- 표준 SO-8 외형이며 무게 0.074g · 마킹 C3025LS 다
- 실장
- 표면실장
- 포장은 릴 2,500개(테이프&릴 · 자동차 규격 준수 표기)
참고
용량·게이트 저항·스위칭·어드미턴스·역회복은 대표값이다. N Ciss/Coss/Crss 590/122/58pF(VDS 15V·1MHz), Rg 1.5Ω. N tdon/tr/tdoff/tf 11.2/15/17.5/8.7ns(VDD 15V·VGS 4.5V·RL 2.4Ω·RG 1Ω)다. P Ciss 631pF(-15V·1MHz), Rg 10.8Ω, tdoff 28.2ns(VDD -15V·VGS -10V·RG 6Ω·ID -1A)다. N trr/Qrr 18.3ns/12nC(IF 12A·di/dt 500A/µs), Yfs N 4S/P 3.5S(VDS ±5V·ID ±5A), VSD N 1.2V/P -1.2V 최대(IS ±1.7A)다.
AI 엔지니어 팁
구매 전 꼭 확인하세요 · 실무 체크포인트
소자별 온저항 조건을 확인하십시오
N은 VGS 10V·ID 5A에서 25mΩ 최대, 4.5V·4A에서 40mΩ 최대입니다. P는 -10V·-5A에서 50mΩ 최대, -4.5V·-4A에서 80mΩ 최대입니다. 각 채널의 구동 조건과 온도를 나누어 손실을 계산하십시오.
문턱전압과 구동 조건을 구분하십시오
VGS(th)는 작은 시험 전류가 흐르기 시작하는 조건입니다. 온저항 표의 VGS와 전류 조건을 기준으로 구동 회로를 검토하고, 문턱전압 상한만으로 충분히 켜진다고 판단하지 마십시오.
자동차용 판의 문서를 사용하십시오
이 품번의 전용 문서는 AEC-Q101 qualified와 PPAP 지원을 명시합니다. 일반판과 주문 품번 및 개정판이 다르므로 같은 계열이라는 이유로 시험조건을 옮기지 말고 DMHC3025LSDQ 표를 기준으로 확인하십시오.
H브리지의 손실을 합산하십시오
정상 상태 소비 전력 1.5W·열저항 83℃/W는 2oz 동박 1인치 사각 FR-4 기판 조건입니다. 동시에 도통하는 N과 P의 손실 및 스위칭 손실을 합산하십시오. 10초 미만 열저항 50℃/W를 정상 상태 값으로 적용하지 마십시오.
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상품정보제공고시
| 품명 및 모델명 | DMHC3025LSDQ-13 (DMHC3025LSDQ-13_DIO) |
|---|---|
| 인증·허가 사항 | 확인된 인증 정보 없음 — 문의 시 안내 |
| 제조국(원산지) | 상품별 상이 — 문의 시 안내 |
| 제조자(브랜드) | Diodes Incorporated |
| A/S 책임자와 전화번호 | (주)유성반도체 고객센터 · 010-4178-8394 (평일 09:00–18:00) |
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