DMN2004VK-7B 은 Diodes Incorporated 의 SOT563 소신호 N채널 2소자 MOSFET 입니다. 20V 540mA 급 N채널 두 개를 SOT563 한 패키지에 담은 2소자 형이며 게이트 ESD 보호와 1.8V 구동 온저항까지 갖춘 초소형 MOSFET 입니다. SOT563 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 8000개(테이프&릴 · 접미 -7B · 피치 2mm) 입니다.

채널 형식

N채널 증가형 2소자

독립 N채널 2소자 · 게이트 ESD 보호 구조이며 4.5V · 2.5V · 1.8V 세 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

20V

VGS 0V · ID 10µA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다 · 드레인 누설은 VDS 16V 에서 1µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

540mA

TA 25℃ · 최소 권장 패드 배치 정상 상태 값이며 TA 85℃ 에서는 390mA 다 · 펄스 1.5A 는 10µs · 듀티 1% 조건이다

온저항 RDS(on)

0.55Ω 최대

VGS 4.5V · ID 540mA 조건 최대값이며 표준값은 0.4Ω 이다 · 2.5V·ID 500mA에서는 최대 0.70Ω · 1.8V·ID 350mA에서는 최대 0.9Ω 이다

게이트 구동

입력 용량 150pF 최대

VDS 16V · VGS 0V · f 1.0MHz 조건 최대값이며 출력 용량 25pF · 귀환 용량 20pF 최대다 · 게이트 전하는 규정하지 않는다

게이트-소스 전압 (VGS)

±8V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 누설 전류는 ±4.5V 에서 ±1µA 이하다

VGS(th)

0.5 ~ 1.0V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID 250µA 를 흘린 조건이다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다

드레인-소스 전압

20V

게이트 정격

±8V

전류·전력 정격

펄스 1.5A · 소비 전력 250mW

온도

접합·보관 -55 ~ +150℃

소비 전력 250mW 와 열저항 500℃/W 는 FR-4 기판 2oz 동박 최소 권장 패드 배치 조건이며 패키지 전체 값이다

패키지

SOT563

표준 SOT563 외형이며 무게 0.003g · 마킹 NAB 다

실장

표면실장

포장은 릴 8000개(테이프&릴 · 접미 -7B · 피치 2mm)

스위칭 시간은 대표값이며 VDD 10V · VGEN 4.5V · RL 47Ω · RG 10Ω · ID 200mA 조건에서 턴온 지연 8.0ns · 상승 13.3ns · 턴오프 지연 53.5ns · 하강 36.1ns 다. 바디 다이오드 순방향 전압은 1.4V 최대 · 최소 0.5V(IS 115mA) 다. 동적 특성은 설계 보증값이며 출하 시험 항목이 아니고 게이트 전하는 규정돼 있지 않다.