SML-H10TBT86 은 ROHM 의 2012 사이즈 표면실장 포토트랜지스터 (흑색 수지) 입니다. 2.0mm × 1.25mm · 두께 0.8mm 칩 외형에 실리콘 칩을 흑색 수지로 담은 표면실장 포토트랜지스터입니다. 문서 특징 란에는 표면실장 렌즈형 포토트랜지스터로 적혀 있습니다. 품번 체계표상 SML 은 계열명, H1 은 2.0 × 1.25mm 외형, T 는 포토트랜지스터, B 는 흑색 수지, T86 은 테이핑 사양입니다. 데이터시트는 2020.4 Rev.009 판입니다.

컬렉터-이미터 전압 VCEO

32V

절대 최대 정격이다 · 이미터-컬렉터 전압 정격은 5V 다포화 전압은 IC 0.1mA · 조도 500Lx 에서 최대 0.4V 다

컬렉터 전류 IC

30mA

절대 최대 정격이다 · 암전류는 VCE 10V 에서 최대 0.5µA 다

광전류 IL

2.0 ~ 4.0mA

VCE 5V · 조도 500Lx 조건의 최소 ~ 최대 범위다 · 조도 대 상대 컬렉터 전류 곡선과 온도 대 상대 컬렉터 전류 곡선이 실려 있다

피크 감도 파장

800nm (Typ)

감도 파장 λP 표준값이다 · 분광 곡선은 무작위 표본의 참고 데이터다 · 수광 칩은 실리콘이다

응답 시간

데이터시트에 규정 없음

규격표에 응답 시간 칸이 없다 · 참고 곡선으로 VCE 10V · Ic 2mA · 주위 온도 25℃ 조건의 부하 저항 대 상승 시간 그래프만 실려 있다

동작 온도

-30 ~ +85℃

주위 온도 기준 절대 최대 정격이다보관 온도는 -30 ~ +100℃ 다컬렉터 소비 전력은 80mW 이고 주위 온도 대 소비 전력 곡선이 실려 있다절대 최대 정격의 기준 온도는 주위 온도 25℃ 다절대 최대 정격은 순간이라도 넘으면 안 되는 한계값이다

패키지

2012

인치 코드는 0805 이고 몸통은 2.0mm × 1.25mm · 두께 0.8mm 다 · 이미터 표시가 있다

실장

표면실장

테이핑 코드 T86 으로 릴당 3,000개씩 감겨 나온다 · 흡습 등급은 Level 3 이다

권장 납땜 패턴은 1.1mm × 1.25mm 패드 두 개를 1.1mm 간격으로 둡니다. 지향 특성은 X-Y 방향과 X'-Y' 방향 두 곡선으로 실려 있습니다. 리플로 최고 온도는 260℃ 이하 · 10초 이내이고 세척은 이소프로필 알코올 계열 용제로 30℃ 이하 · 3분 이내가 권장 조건입니다. 보관 중 염소 · 황 · 암모니아 가스에 노출되면 납땜성 저하와 광 특성 변화가 생길 수 있다고 적혀 있습니다. 흡습 표시 카드의 5% · 10% 칸이 초록이 아니면 굽기가 필요합니다.