ZXMHC3A01T8TA 은 Diodes Incorporated 의 SM-8 H브리지 N+P채널 상보형 MOSFET 입니다. 30V N채널 2개와 -30V P채널 2개를 8핀 SOT223 계열 외형에 담은 H브리지 구성이며 단상 DC 팬 모터 구동에 쓰는 MOSFET 입니다. SM-8 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 1,000개(7인치 릴 · 12mm 테이프) 입니다.

채널 형식

N채널 + P채널 증가형

N채널 2개 · P채널 2개가 H브리지로 배선된 4소자 구성이며 10V · 4.5V 두 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

N 30V · P -30V

VGS 0V · ID ±250µA 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 N 1.0µA · P -1.0µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

N 2.7A · P -2.0A

TA 25℃ · VGS 10V · 50×50mm FR4 단면 2온스 동박 · 정지 공기 · 한 소자 동작 조건이다 · FR4 기판 t ≤ 10초 측정에서는 N 3.1A · P -2.3A(TA 70℃ N 2.5A · P -1.8A) 이고 펄스는 N 14.3A · P -10.8A 이고 바디 다이오드 연속은 N 2.3A · P -2.2A 다

온저항 RDS(on)

N 0.12Ω · P 0.21Ω

VGS ±10V 조건 최대값이며 N 은 ID 2.5A · P 는 ID -1.4A 기준이다 · VGS ±4.5V 에서는 N 0.18Ω · P 0.33Ω 이다

게이트 구동

N 3.9nC · P 5.2nC

VDS ±15V · VGS ±10V 조건 표준값이며 P 는 -5.0V 구동 기준 2.6nC 다 · 게이트-드레인 전하는 N 0.9nC · P 0.9nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±20V

두 형식 공통 절대 최대 정격이며 누설은 ±20V 에서 100nA 이하다

VGS(th)

N 1.0 ~ 3.0V · P -1.0 ~ -3.0V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID ±250µA 를 흘린 조건이다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다

드레인-소스 전압

N 30V · P -30V

게이트-소스 전압 ±20V펄스 드레인 전류 N 14.3A · P -10.8A총 소비 전력 1.3W접합·보관 온도 -55 ~ +150℃소비 전력 1.3W · 열저항 96℃/W 는 50×50mm FR4 단면 2온스 동박 정지 공기 조건이고 FR4 기판 t ≤ 10초 측정에서는 1.7W · 73℃/W 다 · 온도 보정 계수는 각각 10.4mW/℃ · 13.6mW/℃ 이며 모두 한 소자만 동작할 때의 값이다

패키지

SM-8

8핀 SOT223 계열 외형이며 무게 0.117g · 마킹 ZXMHC3A01 다

실장

표면실장

포장은 릴 1,000개(7인치 릴 · 12mm 테이프)

N 소자는 입력 용량 190pF · 출력 용량 38pF · 귀환 용량 20pF 이며 턴온 지연 1.7ns · 상승 2.3ns · 턴오프 지연 6.6ns · 하강 2.9ns 다. P 소자는 입력 용량 204pF · 출력 용량 39.8pF · 귀환 용량 25.8pF 이며 턴온 지연 1.2ns · 상승 2.3ns · 턴오프 지연 12.1ns · 하강 7.5ns 다. 역회복 시간은 N 17.7ns · P 19ns 다.