ZXMHC3F381N8TC 은 Diodes Incorporated 의 SO-8 H브리지 N+P채널 상보형 MOSFET 입니다. 30V N채널 2개와 -30V P채널 2개를 SO-8 에 담은 H브리지 구성이며 DC 모터 제어·DC-AC 인버터에 쓰는 MOSFET 입니다. SO-8 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 2,500개(13인치 릴 · 12mm 테이프) 입니다.

채널 형식

N채널 + P채널 증가형

N채널 2개 · P채널 2개가 H브리지로 배선된 4소자 구성이며 4.5V 급 저전압 게이트 구동으로도 켜진다

드레인-소스 전압 (VDSS)

N 30V · P -30V

ID ±250µA · VGS 0V 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 N 0.5µA · P -0.5µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

N 3.98A · P -3.36A

TA 25℃ · VGS 10V · 25×25×1.6mm FR4 단면 1온스 고피복 동박(드레인별 2등분) · 정지 공기 정상 상태 · 한 소자 동작 조건이다 · 같은 기판 t ≤ 10초 측정에서는 N 4.98A · P -4.13A(TA 70℃ N 3.98A · P -3.31A) 이고 펄스는 N 22.9A · P -19.6A 다

온저항 RDS(on)

N 0.033Ω · P 0.055Ω

VGS ±10V 조건 최대값이며 N 은 ID 5A · P 는 ID -5A 기준이다 · VGS ±4.5V 에서는 N 0.060Ω · P 0.080Ω 이다

게이트 구동

N 9.0nC · P 12.7nC

VDS ±15V · VGS ±10V · ID ±5A 조건 표준값이며 게이트-드레인 전하는 N 2.0nC · P 2.4nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±20V

두 형식 공통 절대 최대 정격이며 게이트-바디 누설은 ±20V 에서 ±100nA 이하다

VGS(th)

N 1.0 ~ 3.0V · P -1.0 ~ -3.0V

ID ±250µA · VDS 와 VGS 를 묶은 조건이다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다

드레인-소스 전압

N 30V · P -30V

게이트-소스 전압 ±20V펄스 드레인 전류 N 22.9A · P -19.6A총 소비 전력 0.87W접합·보관 온도 -55 ~ +150℃소비 전력은 정상 상태 0.87W · t ≤ 10초 1.35W 이고 온도 보정 계수는 각각 6.94mW/℃ · 10.9mW/℃ 다 · 둘 다 25×25mm 1온스 동박 기판에서 한 소자만 동작할 때의 값이다 · 바디 다이오드 연속 전류는 ±2.0A 다

패키지

SO-8

표준 SO-8 외형이며 마킹 ZXMHC3F381 다 · 데이터시트에 무게 표기가 없다

실장

표면실장

포장은 릴 2,500개(13인치 릴 · 12mm 테이프)

N 소자는 입력 용량 430pF · 출력 용량 101pF · 귀환 용량 56pF 이며 턴온 지연 2.5ns · 상승 3.3ns · 턴오프 지연 11.5ns · 하강 6.3ns 다. P 소자는 입력 용량 670pF · 출력 용량 126pF · 귀환 용량 70pF 이며 턴온 지연 1.9ns · 상승 3.0ns · 턴오프 지연 30ns · 하강 21ns 다. 역회복 시간은 N 12ns · P 16.5ns 다.