ZXMN10A08DN8TA 은 Diodes Incorporated 의 SO-8 고내압 N채널 MOSFET 입니다. 100V N채널이며 DC-DC 컨버터·전원 관리·차단 스위치·모터 제어용으로 SO-8 외형에 10V 구동 0.25Ω 최대 온저항을 담은 MOSFET 입니다. SO-8 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 500개(7인치 릴 · 12mm 테이프) 입니다.

채널 형식

N채널 증가형

단일 N채널 · 10V · 6V 두 구동 조건의 온저항이 규정돼 있고 게이트 문턱은 하한만 규정된다

드레인-소스 전압 (VDSS)

100V

ID 250µA · VGS 0V 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 VDS 100V 에서 0.5µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

1.6A

TA 25℃ · VGS 10V · 25×25mm FR4 단면 1온스 고피복 동박 · 정지 공기 조건이다 · FR4 기판 t ≤ 5초 측정에서는 2.1A(TA 70℃ 1.7A) 이고 펄스는 9A 다

온저항 RDS(on)

0.25Ω 최대

VGS 10V · ID 3.2A 조건 최대값이며 VGS 6V · ID 2.6A 조건에서는 최대 0.30Ω 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 7.7nC

VDS 50V · VGS 10V · ID 1.2A 조건 표준값이며 5V 구동 기준 4.2nC · 게이트-소스 전하 1.8nC · 게이트-드레인 전하 2.1nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±20V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 게이트-바디 누설은 ±20V 에서 100nA 이하다

VGS(th)

최소 2.0V

ID 250µA · VDS 와 VGS 를 묶은 조건이며 상한은 데이터시트에 규정돼 있지 않다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다

드레인-소스 전압

100V

게이트-소스 전압 ±20V펄스 드레인 전류 9A총 소비 전력 1.25W접합·보관 온도 -55 ~ +150℃소비 전력은 25×25mm 1온스 동박 정지 공기 조건 1.25W(100℃/W) · FR4 기판 t ≤ 5초 측정 1.8W(69℃/W) 이고 온도 보정 계수는 각각 10mW/℃ · 14.5mW/℃ 다 · 바디 다이오드 연속 2.6A · 펄스 9A · 순방향 전압 0.95V 이하다

패키지

SO-8

표준 SO-8 외형이며 무게 0.076g · 마킹 ZXMN10A08 다

실장

표면실장

포장은 릴 500개(7인치 릴 · 12mm 테이프)

입력 용량 405pF · 출력 용량 28.2pF · 귀환 용량 14.2pF(VDS 50V · 1MHz) 이며 스위칭은 VDD 30V · ID 1.2A · RG 6.0Ω · VGS 10V 조건에서 턴온 지연 3.4ns · 상승 2.2ns · 턴오프 지연 8ns · 하강 3.2ns 다. 순방향 전달 컨덕턴스는 5.0S 이고 역회복 시간은 27ns · 역회복 전하 32nC 다.