ZXM61P02FTA 은 Diodes Incorporated 의 SOT23 저전압 구동 P채널 MOSFET 입니다. -20V -0.9A 급 P채널이며 -2.7V 구동 온저항까지 규정된 DC-DC 컨버터·전원 관리·차단 스위치·모터 제어용 MOSFET 입니다. SOT23 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 3,000개(7인치 릴 · 8mm 테이프) 입니다.

채널 형식

P채널 증가형

단일 P채널 · 문턱이 낮은 구조이며 -4.5V · -2.7V 두 저전압 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

-20V

ID -250µA · VGS 0V 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 VDS -20V 에서 -0.1µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

-0.9A

TA 25℃ · VGS -4.5V · FR4 기판 t ≤ 5초 측정 조건이며 TA 70℃ 에서는 -0.7A 다 · 펄스는 -4.9A 이고 바디 다이오드 연속 -0.9A · 펄스 -4.9A 다

온저항 RDS(on)

0.6Ω 최대

VGS -4.5V · ID -0.61A 조건 최대값이며 VGS -2.7V · ID -0.31A 조건에서는 최대 0.9Ω 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 3.5nC

VDS -16V · VGS -4.5V · ID -0.61A 조건 표준값이며 게이트-소스 전하 0.5nC · 게이트-드레인 전하 1.5nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±12V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 누설은 12V 에서 ±100nA 이하다

VGS(th)

-0.7 ~ -1.5V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID -250µA 를 흘린 조건이다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다

드레인-소스 전압

-20V

게이트-소스 전압 ±12V펄스 드레인 전류 -4.9A총 소비 전력 625mW접합·보관 온도 -55 ~ +150℃소비 전력 625mW · 열저항 200℃/W 는 25×25mm FR4 기판 단면 1온스 고피복 동박 정지 공기 조건이고 FR4 기판 t ≤ 5초 측정에서는 806mW · 155℃/W 다 · 온도 보정 계수는 각각 5mW/℃ · 6.4mW/℃ 이며 바디 다이오드 순방향 전압은 -0.95V 이하다

패키지

SOT23

표준 SOT23 외형이며 무게 0.008g · 마킹 P02 다

실장

표면실장

포장은 릴 3,000개(7인치 릴 · 8mm 테이프)

입력 용량 150pF · 출력 용량 70pF · 귀환 용량 30pF(VDS -15V · 1MHz) 이며 스위칭은 ID -0.93A · RG 6.2Ω · RD 11Ω 조건에서 턴온 지연 2.9ns · 상승 6.7ns · 턴오프 지연 11.2ns · 하강 10.1ns 다. 순방향 전달 컨덕턴스는 최소 0.56S 이고 역회복 시간은 14.9ns · 역회복 전하 5.6nC 다.