ZVP0545GTA 은 Diodes Incorporated 의 SOT223 초고내압 P채널 MOSFET 입니다. -450V -75mA 급 P채널 수직 DMOS 이며 고전압 전력 MOSFET 구동용으로 방열 탭이 있는 SOT223 외형의 MOSFET 입니다. SOT223 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 1,000개(테이프&릴) 입니다.

채널 형식

P채널 증가형

단일 P채널 수직 DMOS · 온저항은 VGS -10V 한 조건만 규정돼 있고 게이트 전하 규격은 없다

드레인-소스 전압 (VDSS)

-450V

VGS 0V · ID 1mA 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 VDS -450V 에서 -20µA · VDS -360V · TA 125℃ 조건에서 -2mA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

-75mA

연속 드레인 전류 절대 최대 정격이며 펄스는 -150mA 다 · 도통 상태 드레인 전류는 VGS -10V · VDS -25V 에서 최소 -100mA 다

온저항 RDS(on)

150Ω 최대

VGS -10V · ID -50mA 조건 최대값이며 더 낮은 게이트 전압 조건은 규정돼 있지 않다

게이트 구동

입력 용량 120pF 최대

VDS -25V · 1MHz 조건 값이며 데이터시트에 게이트 전하 규격은 없다 · 순방향 전달 컨덕턴스는 최소 40mS 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±20V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 누설은 ±20V 에서 20nA 이하다

VGS(th)

-1.5 ~ -4.5V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID -1mA 를 흘린 조건이다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다

드레인-소스 전압

-450V

게이트-소스 전압 ±20V펄스 드레인 전류 -150mA총 소비 전력 2W접합·보관 온도 -55 ~ +150℃소비 전력 2W 가 열 항목으로 규정돼 있고 접합-주위 열저항은 데이터시트에 표기돼 있지 않다 · 온저항과 어드미턴스는 펄스 폭 300µs · 듀티 2% 이하 조건에서 측정한 값이다

패키지

SOT223

Type DN 외형이며 무게 0.112g · 마킹 ZVP0545 다

실장

표면실장

포장은 릴 1,000개(테이프&릴)

입력 용량 120pF · 출력 용량 20pF · 귀환 용량 5pF(VDS -25V · 1MHz) 는 모두 최대값이며 스위칭은 VDD -25V · ID -50mA 조건에서 턴온 지연 10ns · 상승 15ns · 턴오프 지연 15ns · 하강 20ns 이하다. 스위칭 시간은 50Ω 소스 임피던스 조건 측정값이다.