DMC2990UDJQ-7 은 Diodes Incorporated 의 SOT963 소신호 N+P채널 상보형 MOSFET 입니다. 20V N채널 450mA 와 -20V P채널 -310mA 를 1×1mm SOT963 에 담은 상보형 쌍이며 범용 인터페이싱·전원 관리·아날로그 스위치용 저프로파일 MOSFET 입니다. SOT963 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 10K개(테이프&릴 · 접미 -7) 입니다.

채널 형식

N채널 + P채널 증가형

N채널 · P채널이 독립 단자로 나오며 게이트 ESD 보호 구조이고 둘 다 1.5V 구동 온저항까지 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

N 20V · P -20V

VGS 0V · ID ±250µA 조건 항복 전압 최소값이며 절대 최대 정격과 같다

연속 드레인 전류 (ID)

N 450mA · P -310mA

TA 25℃ · VGS ±4.5V 정상 상태 값이며 TA 70℃ 에서는 N 350mA · P -240mA 다 · 5초 미만는 N 520mA · P -360mA 다

온저항 RDS(on)

N 0.99Ω · P 1.9Ω 최대

N 소자 기준 VGS 4.5V · ID 100mA 조건이며 표준 0.60Ω · 1.8V 구동 최대 1.8Ω 이다 · P 소자는 VGS -4.5V 조건이며 -1.8V 구동 최대 3.4Ω 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 N 0.5nC · P 0.4nC

VGS ±4.5V · VDS ±10V · ID ±250mA 조건 표준값이며 게이트-드레인 전하는 N 0.07nC · P 0.06nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±8V

두 소자 공통 절대 최대 정격이며 누설은 ±5V 에서 ±100nA 이하다

VGS(th)

N 0.4 ~ 1.0V · P -0.4 ~ -1.0V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID ±250µA 를 흘린 조건의 문턱전압이며 온저항 시험 전압과 구별한다

전압 한계

VDSS N 20V · P -20V / VGS ±8V

펄스 드레인 전류

N 800mA · P -800mA

소비 전력

350mW

온도 한계

접합·보관 -55 ~ +150℃

소비 전력 350mW 와 열저항 360℃/W 는 최소 권장 패드 배치 정상 상태 조건이고 5초 미만는 270℃/W 다 · 바디 다이오드 연속 전류는 ±440mA 다

패키지

SOT963

표준 SOT963 외형이며 무게 0.027g · 마킹 D1 다

실장

표면실장

포장은 릴 10K개(테이프&릴 · 접미 -7)

아래 동적 특성과 전달 어드미턴스는 대표값이다. N 소자는 입력 용량 27.6pF · 출력 용량 4.0pF · 귀환 용량 2.8pF · 게이트 저항 113Ω 이며 턴온 지연 4.0ns · 상승 3.3ns · 턴오프 지연 19.0ns · 하강 6.4ns 다. P 소자는 입력 용량 28.7pF · 출력 용량 4.2pF · 게이트 저항 399Ω 이며 턴온 지연 5.8ns · 상승 5.7ns · 턴오프 지연 31.1ns · 하강 16.4ns 다. 순방향 전달 어드미턴스는 N 850ms · P 450ms 이고 바디 다이오드 순방향 전압은 N 1.0V · P -1.0V 최대다.