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상세 정보

개요

DMT31M6LPS-13 은 Diodes Incorporated 의 PowerDI5060-8 대전류 N채널 MOSFET 입니다. 30V 150A 급 N채널이며 DC-DC 컨버터용으로 10V 구동 1.35mΩ 최대 온저항과 게이트-드레인 전하와 온저항의 곱(FOM)이 낮은 점을 함께 내세운 MOSFET 입니다. PowerDI5060-8 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 2,500개(테이프&릴) 입니다.

전기 특성

채널 형식
N채널 증가형
단일 N채널 · 노출 드레인 패드로 열을 빼며 10V · 4.5V 두 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다
드레인-소스 전압 (VDSS)
30V
VGS 0V · ID 250µA 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 VDS 24V 에서 1µA 이하다
연속 드레인 전류 (ID)
150A
노출 드레인 패드(솔더링점) 25℃ · VGS 10V 조건이며 70℃ 에서는 128A 다 · 주위 온도 기준으로는 2온스 동박·열 비아·뒷면 1인치 각 동판에서 TA 25℃ 35.8A · TA 70℃ 28.6A 이고 펄스는 160A 다
온저항 RDS(on)
1.35mΩ 최대
VGS 10V · ID 20A 조건 최대값이며 표준 1.1mΩ 이다 · VGS 4.5V · ID 20A 조건은 최대 2.4mΩ · 표준 1.6mΩ 이다
게이트 구동
총 게이트 전하 123nC
VGS 10V · VDD 15V · ID 20A 조건 표준값이며 4.5V 구동 기준 59.1nC · 게이트-소스 전하 14.9nC · 게이트-드레인 전하 24.5nC 다
게이트-소스 전압 (VGS)
±20V
게이트-소스 절대 최대 정격이며 누설 시험은 20V 와 -16V 두 조건에서 ±100nA 이하다
VGS(th)
1 ~ 3V
VDS 와 VGS 를 묶고 ID 250µA 를 흘린 조건이다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다

최대 정격

드레인-소스 전압
30V
게이트-소스 전압 ±20V펄스 드레인 전류 160A총 소비 전력 100W접합·보관 온도 -55 ~ +150℃소비 전력 100W 는 솔더링점 25℃ 기준이고 접합-솔더링점(노출 드레인 패드) 열저항은 1.2℃/W 다 · 2온스 동박·열 비아·뒷면 1인치 각 동판에서는 2.5W · 50℃/W · 최소 권장 패드에서는 1.3W · 99℃/W 이며 바디 다이오드 연속 83A · 애벌런치 1mH 조건 25.5A · 325mJ 다

기계

패키지
PowerDI5060-8
Type K 외형이며 무게 0.097g · 마킹 T31M6LS 다
실장
표면실장
포장은 릴 2,500개(테이프&릴)

참고 (계열·주변장치)

입력 용량 7019pF · 출력 용량 3372pF · 귀환 용량 554pF(VDS 15V · 1MHz) · 게이트 저항 0.94Ω 이며 스위칭은 VDD 15V · VGS 10V · Rg 3Ω · ID 20A 조건에서 턴온 지연 8.6ns · 상승 20.2ns · 턴오프 지연 71.5ns · 하강 42.3ns 다. 바디 다이오드는 역회복 시간 37.2ns · 역회복 전하 73.6nC 이고 순방향 전압은 1.2V 이하다.

AI 엔지니어 팁
구매 전 꼭 확인하세요 · 실무 체크포인트
온저항 기준 조건을 확인하십시오
1.35mΩ 최대 은 VGS 10V · ID 20A 조건 최대값이며 표준 1.1mΩ 입니다 · VGS 4.5V · ID 20A 조건은 최대 2.4mΩ · 표준 1.6mΩ 입니다. 게이트 전압과 드레인 전류 조건이 다르면 값도 달라지므로 실제 구동 전압에서 규정된 값으로 도통 손실을 계산하고 온도 상승분을 더해 여유를 두십시오.
문턱전압과 구동 조건을 구분하십시오
VGS(th) 1 ~ 3V 는 ID 250µA 시험에서 정한 문턱입니다. 온저항은 VGS 10V · 4.5V 조건으로 따로 규정되므로 문턱전압만으로 충분히 켜진다고 판단하지 마십시오. 오프 상태에서는 게이트를 소스 전위 가까이 두어 문턱 최소값 1V 아래로 유지하십시오.
150A 는 솔더링점 온도 기준입니다
150A · 100W 는 노출 드레인 패드(솔더링점) 25℃ 기준이고 주위 온도 기준 연속 전류는 TA 25℃ 35.8A 입니다. 이 값도 2온스 동박·열 비아·뒷면 1인치 각 동판 조건이며 최소 권장 패드 단면 기판에서는 1.3W · 99℃/W 로 줄어듭니다.
게이트 구동 부담이 큽니다
입력 용량 7019pF · 총 게이트 전하 123nC 이고 턴오프 지연도 71.5ns 입니다. 게이트 드라이버의 전류와 구동 손실은 VGS 10V 기준 123nC, 4.5V 기준 59.1nC 로 계산하십시오.

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상품정보제공고시

품명 및 모델명DMT31M6LPS-13 (DMT31M6LPS-13_DIO)
인증·허가 사항확인된 인증 정보 없음 — 문의 시 안내
제조국(원산지)상품별 상이 — 문의 시 안내
제조자(브랜드)Diodes Incorporated
A/S 책임자와 전화번호(주)유성반도체 고객센터 · 010-4178-8394 (평일 09:00–18:00)

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