DMT6004SCT 은 Diodes Incorporated 의 TO220AB 대전류 N채널 MOSFET 입니다. 60V 100A 급 N채널이며 DC-DC 컨버터용으로 방열판을 붙여 쓰는 TO220AB 외형에 10V 구동 3.65mΩ 최대 온저항을 담은 MOSFET 입니다. TO220AB 외형에 삽입실장 방식이며 포장은 튜브 50개 입니다.

채널 형식

N채널 증가형

단일 N채널 · 나사 고정 방열탭이 있는 삽입형이며 10V 구동 한 조건의 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

60V

VGS 0V · ID 1mA 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 VDS 48V 에서 1µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

100A

TC 25℃ · 무한 방열판 조건이며 TC 70℃ 에서도 100A 로 같다(패키지 제한) · 펄스는 180A 이고 바디 다이오드 연속 전류는 TC 25℃ 에서 100A 다

온저항 RDS(on)

3.65mΩ 최대

VGS 10V · ID 100A 조건 최대값이며 표준값은 3.1mΩ 이다 · 4.5V 같은 저전압 구동 조건은 규정돼 있지 않다

게이트 구동

총 게이트 전하 95.4nC

VDD 30V · ID 90A · VGS 10V 조건 표준값이며 게이트-소스 전하 21.6nC · 게이트-드레인 전하 20.4nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±20V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 누설은 ±20V 에서 ±100nA 이하다

VGS(th)

2 ~ 4V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID 250µA 를 흘린 조건이다 · 온저항은 VGS 10V 조건만 규정돼 있다

드레인-소스 전압

60V

게이트-소스 전압 ±20V펄스 드레인 전류 180A총 소비 전력 113W접합·보관 온도 -55 ~ +150℃소비 전력 113W(TC 25℃) 와 접합-케이스 열저항 1.1℃/W 는 무한 방열판 실장 조건이다 · 최소 권장 패드 단면 FR-4 기판에서는 2.3W · 52.8℃/W 이며 애벌런치는 0.2mH 조건 45A · 200mJ 다

패키지

TO220AB

나사 고정용 방열탭이 있는 표준 TO220AB 외형이며 무게 1.85g · 마킹 T6004S 다

실장

삽입실장

포장은 튜브 50개

입력 용량 4556pF · 출력 용량 1383pF · 귀환 용량 105pF(VDS 30V · 1MHz) · 게이트 저항 0.7Ω 이며 스위칭은 VDD 30V · VGS 10V · ID 90A · RG 3.5Ω 조건에서 턴온 지연 14.3ns · 상승 99.1ns · 턴오프 지연 40ns · 하강 17.6ns 다. 바디 다이오드는 역회복 시간 50.5ns · 역회복 전하 80.8nC 이고 순방향 전압은 1.3V 이하다.