DMT40M9LPS-13 은 Diodes Incorporated 의 PowerDI5060-8 대전류 N채널 MOSFET 입니다. 40V 304A 급 N채널이며 두께 1.1mm 미만 박형 외형에 10V 구동 0.9mΩ 최대 온저항을 담은 대전류 MOSFET 입니다. PowerDI5060-8 외형에 표면실장 방식입니다.

채널 형식

N채널 증가형

단일 N채널 · AEC-Q101 인증을 받았고 10V · 4.5V 두 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

40V

VGS 0V · ID 1mA 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 VDS 32V 에서 1µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

304A

노출 드레인 패드(솔더링점) 25℃ · VGS 10V 조건이며 70℃ 에서는 243A 다 · 펄스는 400A 이고 바디 다이오드 연속 전류는 TC 25℃ 에서 100A 다

온저항 RDS(on)

0.9mΩ 최대

VGS 10V · ID 50A 조건 최대값이며 표준 0.6mΩ 이다 · VGS 4.5V · ID 50A 조건은 최대 1.5mΩ · 표준 1mΩ 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 159nC

VGS 10V · VDD 20V · ID 50A 조건 표준값이며 4.5V 구동 기준 72.9nC · 게이트-소스 전하 23.4nC · 게이트-드레인 전하 41.7nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±20V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 누설 시험은 +20V 와 -16V 두 조건에서 ±100nA 이하다

VGS(th)

1 ~ 3V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID 250µA 를 흘린 조건이다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다

드레인-소스 전압

40V

게이트-소스 전압 ±20V펄스 드레인 전류 400A총 소비 전력 125W접합·보관 온도 -55 ~ +150℃소비 전력 125W 는 솔더링점 기준이고 접합-솔더링점(노출 드레인 패드) 열저항은 1℃/W 다 · 2온스 동박·열 비아·뒷면 1인치 각 동판에서는 2.4W · 52℃/W 이며 애벌런치는 0.1mH 조건 77.7A · 391mJ · 바디 다이오드 펄스 전류는 400A 다

패키지

PowerDI5060-8

Type K 외형이며 무게 0.097g · 마킹 T40M9LS 다 · 데이터시트 발주 정보표에는 같은 외형의 다른 품번만 릴 2,500개로 실려 있다

실장

표면실장

포장 단위는 데이터시트 발주 정보표를 따른다

입력 용량 9903pF · 출력 용량 4518pF · 귀환 용량 410pF(VDS 20V · 1MHz) · 게이트 저항 3.56Ω 이며 스위칭은 VDD 20V · VGS 10V · ID 50A · Rg 2.5Ω 조건에서 턴온 지연 7.53ns · 상승 27.4ns · 턴오프 지연 135ns · 하강 68.1ns 다. 바디 다이오드는 역회복 시간 102ns · 역회복 전하 238nC 이고 순방향 전압은 1.3V 이하다.