DMT6008LFG-7 은 Diodes Incorporated 의 PowerDI3333-8 전력용 N채널 MOSFET 입니다. 60V 60A 급 N채널이며 전 수량 UIS 시험을 거치고 게이트 ESD 보호를 갖춘 전원 관리용 MOSFET 입니다. PowerDI3333-8 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 2,000개(테이프&릴 · 접미 -7) 입니다.

채널 형식

N채널 증가형

단일 N채널 · 게이트 ESD 보호가 들어 있고 10V · 4.5V · 3V 세 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

60V

VGS 0V · ID 1mA 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 VDS 48V 에서 1µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

60A

TC 25℃ · VGS 10V 조건이며 TC 70℃ 에서는 48A 다 · 주위 온도 기준으로는 TA 25℃ 13A · TA 70℃ 11A 이고 펄스는 80A 다

온저항 RDS(on)

7.5mΩ 최대

VGS 10V · ID 20A 조건 최대값이며 표준 5.0mΩ 이다 · VGS 4.5V · ID 20A 조건은 최대 11.5mΩ · VGS 3V · ID 3A 조건은 표준 19mΩ 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 50.4nC

VGS 10V · VDS 30V · ID 20A 조건 표준값이며 4.5V 구동 기준 22.4nC · 게이트-소스 전하 9.6nC · 게이트-드레인 전하 7.8nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±12V

게이트-소스 절대 최대 정격이 ±12V 이며 누설은 ±10V 에서 ±10µA 이하다

VGS(th)

0.7 ~ 2.0V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID 250µA 를 흘린 조건이다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다

드레인-소스 전압

60V

게이트-소스 전압 ±12V펄스 드레인 전류 80A총 소비 전력 41W접합·보관 온도 -55 ~ +150℃소비 전력 41W 는 케이스 온도 25℃ 기준이고 접합-케이스 열저항은 3℃/W 다 · 기판 실장 상태 열저항은 정상 상태 58℃/W · 10초 이내 통전 35℃/W 이며 바디 다이오드 연속 3A · 애벌런치 L 0.3mH 조건 13A · 25mJ 다

패키지

PowerDI3333-8

노출 패드가 있는 표준 PowerDI3333-8 외형이며 마킹 S6E 다

실장

표면실장

포장은 릴 2,000개(테이프&릴 · 접미 -7)

입력 용량 2713pF · 출력 용량 822pF · 귀환 용량 57pF(VDS 30V · 1MHz) · 게이트 저항 0.54Ω 이며 스위칭은 VDD 30V · VGS 10V · ID 20A · RG 3Ω 조건에서 턴온 지연 7.0ns · 상승 4.4ns · 턴오프 지연 24.4ns · 하강 7.0ns 다. 바디 다이오드 순방향 전압은 표준 0.9V · 최대 1.2V(IS 20A) 다.