DMT6016LPS-13 은 Diodes Incorporated 의 PowerDI5060-8 전력용 N채널 MOSFET 입니다. 60V 32A 급 N채널이며 부하 스위치·고효율 변환용으로 노출 드레인 패드가 있는 PowerDI5060-8 에 10V 구동 15mΩ 최대 온저항을 담은 MOSFET 입니다. PowerDI5060-8 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 2,500개(테이프&릴) 입니다.

채널 형식

N채널 증가형

단일 N채널 · 노출 드레인 패드로 열을 빼며 10V · 4.5V 두 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다

드레인-소스 전압 (VDSS)

60V

VGS 0V · ID 250µA 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 VDS 48V 에서 1µA 이하다

연속 드레인 전류 (ID)

32A

노출 드레인 패드(솔더링점) 25℃ · VGS 10V 조건이며 70℃ 에서는 25A 다 · 주위 온도 기준으로는 2온스 동박·열 비아·뒷면 1인치 각 동판에서 TA 25℃ 10A · TA 70℃ 8A 이고 펄스는 120A 다

온저항 RDS(on)

15mΩ 최대

VGS 10V · ID 20A 조건 최대값이며 VGS 4.5V · ID 18A 조건에서는 최대 24mΩ 이다

게이트 구동

총 게이트 전하 17nC

VGS 10V · VDS 30V · ID 10A 조건 표준값이며 4.5V 구동 기준 8.4nC · 게이트-소스 전하 3.1nC · 게이트-드레인 전하 4.3nC 다

게이트-소스 전압 (VGS)

±20V

게이트-소스 절대 최대 정격이며 누설은 20V 에서 ±100nA 이하다

VGS(th)

1 ~ 2.5V

VDS 와 VGS 를 묶고 ID 250µA 를 흘린 조건이다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다

드레인-소스 전압

60V

게이트-소스 전압 ±20V펄스 드레인 전류 120A총 소비 전력 26W접합·보관 온도 -55 ~ +150℃소비 전력 26W 는 솔더링점 25℃ 기준이고 접합-솔더링점(노출 드레인 패드) 열저항은 4.8℃/W 다 · 2온스 동박·열 비아·뒷면 1인치 각 동판에서는 2.6W · 49℃/W 이며 바디 다이오드 연속 27A · 애벌런치 0.1mH 조건 15.3A · 11.7mJ 다

패키지

PowerDI5060-8

노출 드레인 패드가 있는 표준 PowerDI5060-8 외형이며 무게 0.097g · 마킹 T6016LS 다 · 발주 정보표에 PowerDI5060-8 과 PowerDI5060-8/SWP (Type UX) 두 외형이 같은 품번으로 함께 실려 있다

실장

표면실장

포장은 릴 2,500개(테이프&릴)

입력 용량 864pF · 출력 용량 282pF · 귀환 용량 27pF(VDS 30V · 1MHz) · 게이트 저항 1.3Ω 이며 스위칭은 VGS 10V · VDS 30V · RG 6Ω · ID 10A 조건에서 턴온 지연 3.4ns · 상승 5.2ns · 턴오프 지연 13ns · 하강 7ns 다. 바디 다이오드는 역회복 시간 22ns · 역회복 전하 11nC 이고 순방향 전압은 표준 0.7V · 최대 1.2V 다.