
상세 정보
개요
DMT6018LDR-7 은 Diodes Incorporated 의 V-DFN3030-8 전력용 N채널 2소자 MOSFET 입니다. 60V 8.8A 급 N채널 두 개를 3×3mm 패키지에 담은 2소자 형이며 10V 구동 17mΩ 최대 온저항을 내는 전원 관리용 MOSFET 입니다. V-DFN3030-8 외형에 표면실장 방식이며 포장은 릴 3,000개(테이프&릴 · 접미 -7) 입니다.
전기 특성
- 채널 형식
- N채널 증가형 2소자
- 독립 N채널 2소자 · 게이트 저항이 1.1Ω 으로 낮고 10V · 4.5V 두 구동 조건의 온저항이 규정돼 있다
- 드레인-소스 전압 (VDSS)
- 60V
- VGS 0V · ID 250µA 조건 항복 전압 최소값이며 드레인 누설은 VDS 48V 에서 1.0µA 이하다
- 연속 드레인 전류 (ID)
- 8.8A
- TA 25℃ · VGS 10V · 2온스 1인치 사각 동박 정상 상태 값이며 TA 70℃ 에서는 7.1A 다 · 10초 이내 통전에서는 TA 25℃ 11.4A · TA 70℃ 9.1A 다 · 펄스는 50A 이고 바디 다이오드 연속 전류는 3A 다
- 온저항 RDS(on)
- 17mΩ 최대
- VGS 10V · ID 8.2A 조건 최대값이며 표준 13mΩ 이다 · VGS 4.5V · ID 6.7A 조건은 최대 26mΩ · 표준 20mΩ 이다
- 게이트 구동
- 총 게이트 전하 13.9nC
- VGS 10V · VDS 30V · ID 8.2A 조건 표준값이며 4.5V 구동 기준 6.2nC · 게이트-소스 전하 3.0nC · 게이트-드레인 전하 1.9nC 다
- 게이트-소스 전압 (VGS)
- ±20V
- 게이트-소스 절대 최대 정격이며 누설은 ±20V 에서 ±100nA 이하다
- VGS(th)
- 1.0 ~ 3.0V
- VDS 와 VGS 를 묶고 ID 250µA 를 흘린 조건이다 · 문턱전압은 온저항 보증 구동전압이 아니다
최대 정격
- 드레인-소스 전압
- 60V
- 게이트-소스 전압 ±20V펄스 드레인 전류 50A총 소비 전력 1.9W접합·보관 온도 -55 ~ +150℃소비 전력 1.9W · 열저항 66℃/W 는 1인치 사각 동박 정상 상태 조건이고 TA 70℃ 에서는 1.2W · 10초 이내 통전 40℃/W 다 · 2온스 최소 권장 패드에서는 1.1W · 108℃/W(10초 이내 65℃/W) · TA 70℃ 0.7W 이며 접합-케이스 열저항 11.4℃/W · 애벌런치 1mH 조건 8A · 32mJ 다
기계
- 패키지
- V-DFN3030-8
- Type H 외형이며 무게 0.02g · 마킹 T18 다
- 실장
- 표면실장
- 포장은 릴 3,000개(테이프&릴 · 접미 -7)
참고 (계열·주변장치)
입력 용량 869pF · 출력 용량 226pF · 귀환 용량 15pF(VDS 30V · 1MHz) · 게이트 저항 1.1Ω 이며 스위칭은 VDD 30V · VGS 10V · ID 8.2A · Rg 6Ω 조건에서 턴온 지연 3.5ns · 상승 4.6ns · 턴오프 지연 10.8ns · 하강 3.5ns 다. 바디 다이오드는 역회복 시간 20.3ns · 역회복 전하 11.4nC 다.
AI 엔지니어 팁
구매 전 꼭 확인하세요 · 실무 체크포인트
온저항 기준 조건을 확인하십시오
17mΩ 최대 은 VGS 10V · ID 8.2A 조건 최대값이며 표준 13mΩ 입니다 · VGS 4.5V · ID 6.7A 조건은 최대 26mΩ · 표준 20mΩ 입니다. 게이트 전압과 드레인 전류 조건이 다르면 값도 달라지므로 실제 구동 전압에서 규정된 값으로 도통 손실을 계산하고 온도 상승분을 더해 여유를 두십시오.
문턱전압과 구동 조건을 구분하십시오
VGS(th) 1.0 ~ 3.0V 는 ID 250µA 시험에서 정한 문턱입니다. 온저항은 VGS 10V · 4.5V 조건으로 따로 규정되므로 문턱전압만으로 충분히 켜진다고 판단하지 마십시오. 오프 상태에서는 게이트를 소스 전위 가까이 두어 문턱 최소값 1.0V 아래로 유지하십시오.
스위칭이 빠른 2소자 형입니다
게이트 저항 1.1Ω · 총 게이트 전하 13.9nC 로 가볍고 턴오프 지연 10.8ns · 하강 3.5ns 로 짧습니다. 바디 다이오드 역회복은 20.3ns · 11.4nC(IF 8.2A) 이며 문서가 꼽는 용도는 전원 관리와 아날로그 스위치입니다.
열 조건을 기판별로 나눠 보십시오
소비 전력 1.9W · 66℃/W 는 2온스 1인치 사각 동박 조건이고 2온스 최소 권장 패드에서는 1.1W · 108℃/W 입니다. 10초 이내 통전 열저항은 각각 40℃/W · 65℃/W 이므로 실제 기판에 맞는 줄로 계산하십시오.
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상품정보제공고시
| 품명 및 모델명 | DMT6018LDR-7 (DMT6018LDR-7_DIO) |
|---|---|
| 인증·허가 사항 | 확인된 인증 정보 없음 — 문의 시 안내 |
| 제조국(원산지) | 상품별 상이 — 문의 시 안내 |
| 제조자(브랜드) | Diodes Incorporated |
| A/S 책임자와 전화번호 | (주)유성반도체 고객센터 · 010-4178-8394 (평일 09:00–18:00) |
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